[发明专利]半导体器件的FOWLP封装结构及制作方法在审
| 申请号： | 201510553045.6 | 申请日： | 2015-09-01 |
| 公开（公告）号： | CN105244341A | 公开（公告）日： | 2016-01-13 |
| 发明（设计）人： | 陆原;陈峰;刘一波;林挺宇 | 申请（专利权）人： | 华进半导体封装先导技术研发中心有限公司 |
| 主分类号： | H01L23/498 | 分类号： | H01L23/498;H01L23/31;H01L23/12;H01L21/48;H01L21/56 |
| 代理公司： | 无锡市大为专利商标事务所(普通合伙) 32104 | 代理人： | 曹祖良;韩凤 |
| 地址： | 214135 江苏省无锡市新区*** | 国省代码： | 江苏;32 |
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| 摘要： | 本发明提供了一种半导体器件的FOWLP封装结构及制作方法，该封装结构包括一个或多个带有焊盘的芯片，芯片非主动面通过DAF膜粘接在载板上，芯片四周的空隙填充介电质材料，介电质层的表面高度低于芯片主动面表面；芯片主动面和介电质层顶部覆盖有第一绝缘层，第一绝缘层表面有重布线层，重布线层通过第一绝缘层的开口与芯片主动面的焊盘连接；第一绝缘层和重布线层上面覆盖第二绝缘层；重布线层焊盘上有凸点下金属层，在凸点下金属层上有凸块，所述凸块通过凸点下金属层、重布线层与芯片主动面焊盘形成电连接。本发明仅用一块载板，采用膜辅助成型塑封技术，芯片间隙介电质填充层厚度可控，一次性到位，省略临时键合（拆键合）所需的材料和相应工艺。 | ||
| 搜索关键词： | 半导体器件 fowlp 封装 结构 制作方法 | ||
【主权项】：
一种半导体器件的FOWLP封装结构，其特征是，包括一个或多个带有焊盘的芯片，所述芯片的主动面朝上，芯片非主动面通过DAF膜粘接在载板上，载板上芯片四周的空隙填充介电质材料形成介电质层，且所述介电质层的表面高度低于芯片主动面表面；所述芯片主动面和介电质层顶部覆盖有第一绝缘层，第一绝缘层在芯片主动面焊盘上有开口；第一绝缘层表面有重布线层，所述重布线层通过第一绝缘层的开口与芯片主动面的焊盘连接；所述第一绝缘层和重布线层上面覆盖第二绝缘层，第二绝缘层在重布线层焊盘上有开口；重布线层焊盘上有凸点下金属层，在凸点下金属层上有凸块，所述凸块通过凸点下金属层、重布线层与芯片主动面焊盘形成电连接。
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