[发明专利]半导体装置有效
申请号: | 201510553388.2 | 申请日: | 2015-09-02 |
公开(公告)号: | CN105990412B | 公开(公告)日: | 2020-09-18 |
发明(设计)人: | 末代知子;安原纪夫;小仓常雄 | 申请(专利权)人: | 株式会社东芝 |
主分类号: | H01L29/739 | 分类号: | H01L29/739 |
代理公司: | 北京律盟知识产权代理有限责任公司 11287 | 代理人: | 张世俊 |
地址: | 日本*** | 国省代码: | 暂无信息 |
权利要求书: | 查看更多 | 说明书: | 查看更多 |
摘要: | 实施方式的半导体装置具备:第1导电型的第1半导体区域;第2导电型的第2半导体区域,设置在所述第1半导体区域之上;第1导电型的第3半导体区域,设置在所述第2半导体区域之上;层间绝缘膜,设置在所述第2半导体区域之上及所述第3半导体区域之上;第1电极,设置在所述第1半导体区域之下;第2电极,设置在所述层间绝缘膜之上;多个第1接触区域,在所述层间绝缘膜内朝从所述第1电极朝向所述第2电极的第1方向延伸,将所述第3半导体区域与所述第2电极电连接;多个第2接触区域,在所述层间绝缘膜内朝所述第1方向延伸,设置在相邻的所述第1接触区域之间;以及第3电极,介隔第1绝缘膜而设置在所述第2半导体区域。 | ||
搜索关键词: | 半导体 装置 | ||
【主权项】:
一种半导体装置,其特征在于具备:第1导电型的第1半导体区域;第2导电型的第2半导体区域,设置在所述第1半导体区域之上;第1导电型的第3半导体区域,设置在所述第2半导体区域之上;层间绝缘膜,设置在所述第2半导体区域之上及所述第3半导体区域之上;第1电极,设置在所述第1半导体区域之下;第2电极,设置在所述层间绝缘膜之上;多个第1接触区域,在所述层间绝缘膜内朝从所述第1电极朝向所述第2电极的第1方向延伸,将所述第3半导体区域与所述第2电极电连接;多个第2接触区域,在所述层间绝缘膜内朝所述第1方向延伸,设置在相邻的所述第1接触区域之间;以及第3电极,隔着第1绝缘膜而设置在所述第2半导体区域。
下载完整专利技术内容需要扣除积分,VIP会员可以免费下载。
该专利技术资料仅供研究查看技术是否侵权等信息,商用须获得专利权人授权。该专利全部权利属于株式会社东芝,未经株式会社东芝许可,擅自商用是侵权行为。如果您想购买此专利、获得商业授权和技术合作,请联系【客服】
本文链接:http://www.vipzhuanli.com/patent/201510553388.2/,转载请声明来源钻瓜专利网。
- 上一篇:半导体结构及其制作方法
- 下一篇:半导体结构及其制造方法
- 同类专利
- 专利分类