[发明专利]半导体装置在审
| 申请号： | 201510553491.7 | 申请日： | 2015-09-02 |
| 公开（公告）号： | CN105977296A | 公开（公告）日： | 2016-09-28 |
| 发明（设计）人： | 佐喜和朗 | 申请（专利权）人： | 株式会社东芝 |
| 主分类号： | H01L29/78 | 分类号： | H01L29/78;H01L29/423 |
| 代理公司： | 北京律盟知识产权代理有限责任公司 11287 | 代理人： | 张世俊 |
| 地址： | 日本*** | 国省代码： | 日本;JP |
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| 摘要： | 本发明的实施方式提供一种能够抑制栅极绝缘膜的绝缘性下降的半导体装置。实施方式的半导体装置包括：半导体层；第一电极，设置在所述半导体层上，且连接于所述半导体层；第二电极，设置在所述半导体层上，且连接于所述半导体层；绝缘膜，设置在所述半导体层上；以及第三电极，设置在所述第一电极与所述第二电极之间，且介隔所述绝缘膜而设置在所述半导体层上。所述绝缘膜具有：第一层，在所述第一电极与所述第二电极之间设置在所述半导体层侧，且含有硅氮化物；以及第二层，在所述第一电极与所述第三电极之间及所述第二电极与所述第三电极之间设置在所述第一层上，含有硅氮化物，且比所述第一层含有更多氧。 | ||
| 搜索关键词： | 半导体 装置 | ||
【主权项】：
一种半导体装置，其特征在于包括：半导体层；第一电极，设置在所述半导体层上，且连接于所述半导体层；第二电极，设置在所述半导体层上，且连接于所述半导体层；绝缘膜，设置在所述半导体层上；以及第三电极，设置在所述第一电极与所述第二电极之间，且隔着所述绝缘膜而设置在所述半导体层上；所述绝缘膜包含：第一层，在所述第一电极与所述第二电极之间设置在所述半导体层侧，且含有硅氮化物；以及第二层，在所述第一电极与所述第三电极之间及所述第二电极与所述第三电极之间设置在所述第一层上，且含有硅氮化物及氧。
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