[发明专利]一种LED芯片的制作方法

摘要

本申请公开了一种LED芯片的制作方法，包括步骤蓝宝石衬底上顺次生长缓冲层、N型GaN层、多量子阱层和P型GaN层，用ICP刻蚀机台刻蚀P型GaN层露出L型台阶，在P型GaN层表层进行光刻胶涂覆，软考、曝光、显影等步骤露出需要制作电流阻挡层的区域，其他区域全部被保护；利用ICP在P型GaN层表面进行干法刻蚀，刻蚀区域为所述露出需要制作电流阻挡层的区域；制作电流扩展导电层；制作金属电极和钝化层，得到晶圆；晶圆减薄、背镀、切割裂片和晶粒分选得到LED芯片。本发明不需要沉积绝缘材料SiO2以及湿法腐蚀等步骤，简化工艺节省成本；提高产品的品质，良率有明显提高。

主权项

一种LED芯片的制作方法，其特征在于，包括步骤：将衬底表面清洁后沉积20‑50nm缓冲层，在所述缓冲层上生长4‑6μm的N型GaN层，接着在所述N型GaN层上生长200‑300nm的多量子阱层，然后在所述多量子阱层上生长20‑100nm的P型GaN层；在所述P型GaN层上通过光刻制作芯片图形，用干法刻蚀设备ICP刻蚀出L型台阶，刻蚀深度1‑2μm，切割道的宽度在10‑30μm之间，该L型台阶的侧面从P型GaN层的侧面延伸至所述N型GaN层的侧面，所述L型台阶的水平方向的平面为N型GaN层所在的平面，所述L型台阶的侧面与水平面的夹角在120‑150°之间；在P型GaN层表面涂覆光刻胶厚度2‑3μm，经过100‑140℃软烤1‑2min、经过光罩版曝光和显影的步骤露出需要制作电流阻挡层的区域，其他区域全部被保护；利用ICP在P型GaN层表面进行干法刻蚀，刻蚀区域为所述露出需要制作电流阻挡层的区域，刻蚀所用气体为BCl3与Cl2，其中BCl3占比20‑80％，刻蚀速率刻蚀深度在所述P型GaN层上利用电子束蒸发设备蒸镀透明导电层ITO，透明导电层厚度经过黄光室在ITO表层涂覆光刻胶、光罩曝光、显影后露出多余部分ITO，经过化学腐蚀后将露出部分ITO腐蚀掉，最后去掉光刻胶，露出电流扩展导电层；在所述电流扩展导电层上涂覆光刻胶，通过光罩版曝光、显影步骤将需要开孔的部位的光刻胶去掉，然后用化学腐蚀溶液将露出部位进行腐蚀，露出圆形小孔，圆形小孔面积为金属焊盘面积的10‑90％；制作金属电极和钝化层，得到晶圆；晶圆减薄、背镀、切割裂片和晶粒分选得到LED芯片。