[发明专利]成膜装置以及成膜方法无效
申请号: | 201510555649.4 | 申请日: | 2015-09-02 |
公开(公告)号: | CN105986252A | 公开(公告)日: | 2016-10-05 |
发明(设计)人: | 三田浩史;南云英一;斋藤诚 | 申请(专利权)人: | 株式会社东芝 |
主分类号: | C23C16/513 | 分类号: | C23C16/513 |
代理公司: | 北京律盟知识产权代理有限责任公司 11287 | 代理人: | 张世俊 |
地址: | 日本*** | 国省代码: | 日本;JP |
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摘要: | 本发明的实施方式提供一种使成膜的再现性进一步提高的成膜装置以及成膜方法。根据实施方式,成膜装置具备等离子体枪、检测部及控制部。等离子体枪能够喷出等离子体气体,而在照射等离子体气体的加工对象物上形成膜。检测部检测等离子体气体喷出方向上的等离子体气体中的温度或发光强度。控制部根据从检测部取得的温度或发光强度,以使温度处于第1温度以上且第2温度以下的范围的等离子体气体、或发光强度处于第1发光强度以上且第2发光强度以下的范围的等离子体气体照射到加工对象物的方式,控制加工对象物与等离子体枪的距离。 | ||
搜索关键词: | 装置 以及 方法 | ||
【主权项】:
一种成膜装置,其特征在于具备:等离子体枪,能够喷出等离子体气体,而在照射所述等离子体气体的加工对象物上形成膜;检测部,检测所述等离子体气体喷出方向上的所述等离子体气体中的温度或发光强度;以及控制部,根据从所述检测部取得的所述温度或所述发光强度,以使所述等离子体气体的温度处于第1温度以上且第2温度以下的范围的所述等离子体气体、或所述等离子体气体的发光强度处于第1发光强度以上且第2发光强度以下的范围的所述等离子体气体照射到所述加工对象物的方式,控制所述加工对象物与所述等离子体枪的距离。
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C23 对金属材料的镀覆;用金属材料对材料的镀覆;表面化学处理;金属材料的扩散处理;真空蒸发法、溅射法、离子注入法或化学气相沉积法的一般镀覆;金属材料腐蚀或积垢的一般抑制
C23C 对金属材料的镀覆;用金属材料对材料的镀覆;表面扩散法,化学转化或置换法的金属材料表面处理;真空蒸发法、溅射法、离子注入法或化学气相沉积法的一般镀覆
C23C16-00 通过气态化合物分解且表面材料的反应产物不留存于镀层中的化学镀覆,例如化学气相沉积
C23C16-01 .在临时基体上,例如在随后通过浸蚀除去的基体上
C23C16-02 .待镀材料的预处理
C23C16-04 .局部表面上的镀覆,例如使用掩蔽物的
C23C16-06 .以金属材料的沉积为特征的
C23C16-22 .以沉积金属材料以外之无机材料为特征的
C23C 对金属材料的镀覆;用金属材料对材料的镀覆;表面扩散法,化学转化或置换法的金属材料表面处理;真空蒸发法、溅射法、离子注入法或化学气相沉积法的一般镀覆
C23C16-00 通过气态化合物分解且表面材料的反应产物不留存于镀层中的化学镀覆,例如化学气相沉积
C23C16-01 .在临时基体上,例如在随后通过浸蚀除去的基体上
C23C16-02 .待镀材料的预处理
C23C16-04 .局部表面上的镀覆,例如使用掩蔽物的
C23C16-06 .以金属材料的沉积为特征的
C23C16-22 .以沉积金属材料以外之无机材料为特征的