[发明专利]半导体装置无效
| 申请号： | 201510555734.0 | 申请日： | 2015-09-02 |
| 公开（公告）号： | CN105977230A | 公开（公告）日： | 2016-09-28 |
| 发明（设计）人： | 西川幸江;岸田基也 | 申请（专利权）人： | 株式会社东芝 |
| 主分类号： | H01L23/485 | 分类号： | H01L23/485 |
| 代理公司： | 北京律盟知识产权代理有限责任公司 11287 | 代理人： | 张世俊 |
| 地址： | 日本*** | 国省代码： | 日本;JP |
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| 摘要： | 实施方式的半导体装置具备半导体层、设置在半导体层上的第1绝缘膜、设置在第1绝缘膜上的第1导电层、设置在半导体层上及第1导电层上的第2绝缘膜、设置在第2绝缘膜上的第2导电层、将半导体层与第2导电层连接的第1接点部、及将第1导电层与第2导电层连接的第2接点部，且半导体层与和第2接点部相邻的第2绝缘膜的上部的距离比半导体层与和第1接点部相邻的第2绝缘膜的上部的距离大，第2接点部的宽度比第1接点部的宽度宽。 | ||
| 搜索关键词： | 半导体 装置 | ||
【主权项】：
一种半导体装置，其特征在于具备：半导体层；第1绝缘膜，设置在所述半导体层上；第1导电层，设置在所述第1绝缘膜上；第2绝缘膜，设置在所述半导体层上及所述第1导电层上；第2导电层，设置在所述第2绝缘膜上；第1接点部，将所述半导体层与所述第2导电层连接；以及第2接点部，将所述第1导电层与所述第2导电层连接；并且所述半导体层与和所述第2接点部相邻的所述第2绝缘膜的上部的距离比所述半导体层与和所述第1接点部相邻的所述第2绝缘膜的上部的距离大；所述第2接点部的宽度比所述第1接点部的宽度宽。
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