[发明专利]半导体装置

摘要

本发明提供一种能够抑制误触发的半导体装置。实施方式的半导体装置包括单元区域、栅极配线区域、及设置在单元区域与栅极配线区域之间的米勒箝位电路区域，且米勒箝位电路区域具有：SiC基板，具备第一面与第二面；n型第一源极区域，设置在SiC基板内的第一面；n型第一漏极区域；第一栅极绝缘膜；第一栅电极；p型第二源极区域，设置在SiC基板内的第一面，且电连接于第一源极区域；p型第二漏极区域；第二栅极绝缘膜；以及第二栅电极，与第一栅电极电连接；单元区域具有：n型第一SiC区域，设置在SiC基板内的第一面，且电连接于第二漏极区域；p型第二SiC区域；n型第三SiC区域；第三栅极绝缘膜；以及第三栅电极，电连接于第一源极区域及第二源极区域。

主权项

一种半导体装置，其特征在于具备单元区域、栅极配线区域、以及设置在所述单元区域与所述栅极配线区域之间的米勒箝位电路区域，並且所述米勒箝位电路区域具有：SiC衬底，具备第一面与第二面；n型第一源极区域，设置在所述SiC衬底内的所述第一面；n型第一漏极区域，设置在所述SiC衬底内的所述第一面；第一栅极绝缘膜，设置在所述第一源极区域与所述第一漏极区域之间的所述第一面上；第一栅极电极，设置在所述第一栅极绝缘膜上；p型第二源极区域，设置在所述SiC衬底内的所述第一面，且电连接于所述第一源极区域；p型第二漏极区域，设置在所述SiC衬底内的所述第一面；第二栅极绝缘膜，设置在所述第二源极区域与所述第二漏极区域之间的所述第一面上；以及第二栅极电极，设置在所述第二栅极绝缘膜上，且与所述第一栅极电极电连接；所述单元区域具有：n型第一SiC区域，设置在所述SiC衬底内的所述第一面，且电连接于所述第二漏极区域；p型第二SiC区域，设置在所述第一SiC区域与所述第二面之间；n型第三SiC区域，设置在所述第二SiC区域与所述第二面之间；第三栅极绝缘膜，设置在所述第二SiC区域上；以及第三栅极电极，设置在所述第三栅极绝缘膜上，且电连接于所述第一源极区域及所述第二源极区域。