[发明专利]颗粒状多晶硅生产工艺及硅晶种制造系统有效
| 申请号： | 201510555764.1 | 申请日： | 2015-09-01 |
| 公开（公告）号： | CN105174264B | 公开（公告）日： | 2018-09-04 |
| 发明（设计）人： | 陶刚义 | 申请（专利权）人： | 内蒙古兴洋科技有限公司 |
| 主分类号： | C01B33/029 | 分类号： | C01B33/029 |
| 代理公司： | 北京慕达星云知识产权代理事务所(特殊普通合伙) 11465 | 代理人： | 李冉 |
| 地址： | 010499 内蒙古自治区鄂*** | 国省代码： | 内蒙古;15 |
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| 摘要： | 本发明属于颗粒状多晶硅的生产制造技术领域，特指一种颗粒状多晶硅生产工艺及硅晶种制造系统，颗粒状多晶硅生产工艺，其特征在于，包括以下步骤：①预备硅晶种原料；②对硅晶种原料进行粉碎，并筛选得到直径合适的硅晶种；③在流化床内对硅烷进行加热分解并对硅晶种进行流化，使产生的硅粉在硅晶种上沉积；④对硫化后的硅晶种进行脱氢，并得到符合要求的颗粒状多晶硅；采用此工艺，彻底避免传统的破碎环节带来的二次污染，减少了加工步骤和成本。 | ||
| 搜索关键词： | 颗粒状 多晶 生产工艺 硅晶种 制造 系统 | ||
【主权项】：
1.颗粒状多晶硅生产工艺，其特征在于，包括以下步骤：①预备硅晶种原料；②对硅晶种原料进行粉碎，并筛选得到直径合适的硅晶种；③在流化床内对硅烷进行加热分解并对硅晶种进行流化，使产生的硅粉在硅晶种上沉积，控制流化的温度为400‑900℃；④对流化后的硅晶种进行脱氢，并得到符合要求的颗粒状多晶硅，脱氢的温度控制在1000‑1200℃；所述步骤②中，硅晶种原料粉碎时，先将硅晶种原料分为两部分，并分别通入高速气流，使得硅晶种原料分别从两个相对的方向高速接近并碰撞，硅晶种原料碰撞并粉碎成大小不一的颗粒。
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