[发明专利]半导体装置在审
| 申请号： | 201510556147.3 | 申请日： | 2015-09-02 |
| 公开（公告）号： | CN105957889A | 公开（公告）日： | 2016-09-21 |
| 发明（设计）人： | 大麻浩平;高田贤治;吉冈启;矶部康裕;洪洪 | 申请（专利权）人： | 株式会社东芝 |
| 主分类号： | H01L29/772 | 分类号： | H01L29/772;H01L29/778;H01L29/20;H01L29/423 |
| 代理公司： | 北京律盟知识产权代理有限责任公司 11287 | 代理人： | 张世俊 |
| 地址： | 日本*** | 国省代码： | 日本;JP |
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| 摘要： | 本发明的实施方式提供一种能够减少电流崩塌，并且能够减少漏电流的半导体装置。半导体装置(1)具备：化合物半导体层(13)，设置在衬底(10)上；化合物半导体层(14)，设置在化合物半导体层(13)上，且带隙比化合物半导体层(13)大；以及栅极电极(17)，设置在化合物半导体层(14)上。栅极电极(17)的栅极长度比化合物半导体层(13)的厚度的2倍大，且为化合物半导体层(13)的厚度的5倍以下。 | ||
| 搜索关键词： | 半导体 装置 | ||
【主权项】：
一种半导体装置，其特征在于具备：第一化合物半导体层，设置在衬底上；第二化合物半导体层，设置在所述第一化合物半导体层上，且带隙比所述第一化合物半导体层大；以及栅极电极，设置在所述第二化合物半导体层上；且所述栅极电极的栅极长度比所述第一化合物半导体层的厚度的2倍大，且为所述第一化合物半导体层的厚度的5倍以下。
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