[发明专利]半导体装置及其制造方法有效
| 申请号： | 201510556172.1 | 申请日： | 2015-09-02 |
| 公开（公告）号： | CN105990456B | 公开（公告）日： | 2019-12-20 |
| 发明（设计）人： | 大田刚志;堀阳一;山下敦子 | 申请（专利权）人： | 株式会社东芝 |
| 主分类号： | H01L29/872 | 分类号： | H01L29/872;H01L21/329;H01L29/06;H01L29/24 |
| 代理公司： | 11287 北京律盟知识产权代理有限责任公司 | 代理人： | 张世俊 |
| 地址： | 日本*** | 国省代码： | 日本;JP |
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| 摘要： | 本发明的实施方式提供一种能够提高特性的半导体装置及其制造方法。实施方式的半导体装置包括：n型SiC衬底；n型SiC层，设置在SiC衬底上，具有第一表面，且n型杂质浓度比SiC衬底低；多个p型第一SiC区域，设置在SiC层的第一表面；多个p型第二SiC区域，设置在第一SiC区域的各者中，且p型杂质浓度比第一SiC区域高；多个硅化物层，设置在第二SiC区域的各者上，在第二SiC区域的相反侧具有第二表面，且SiC衬底到第二表面的距离与SiC衬底到第一表面的距离的差量为0.2μm以下；第一电极，与SiC层及硅化物层相接地进行设置；以及第二电极，与SiC衬底相接地进行设置。 | ||
| 搜索关键词： | 半导体 装置 及其 制造 方法 | ||
【主权项】：
1.一种半导体装置，其特征在于具备：/nn型SiC衬底；/nn型SiC层，设置在所述SiC衬底上，具有第一表面，且n型杂质浓度比所述SiC衬底低；/n多个p型第一SiC区域，设置在所述SiC层的所述第一表面；/n一个p型第二SiC区域，设置在所述第一SiC区域的各者之中，且p型杂质浓度比所述第一SiC区域高；/n一个硅化物层，设置在所述第二SiC区域之上，在所述第二SiC区域的相反侧具有第二表面，且所述SiC衬底到所述第二表面的距离与所述SiC衬底到所述第一表面的距离的差量为-0.1μm以上且0.1μm以下；/n第一电极，与所述SiC层及所述硅化物层相接地设置；/n第二电极，与所述SiC衬底相接地设置；以及/n绝缘膜，设置在所述硅化物层的侧面与所述n型SiC层之间且与所述侧面接触。/n
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