[发明专利]存储装置有效
| 申请号： | 201510556173.6 | 申请日： | 2015-09-02 |
| 公开（公告）号： | CN105870320B | 公开（公告）日： | 2018-09-14 |
| 发明（设计）人： | 铃木都文;富永淳二 | 申请（专利权）人： | 东芝存储器株式会社 |
| 主分类号： | H01L45/00 | 分类号： | H01L45/00 |
| 代理公司： | 北京律盟知识产权代理有限责任公司 11287 | 代理人： | 张世俊 |
| 地址： | 日本*** | 国省代码： | 日本;JP |
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| 摘要： | 一种根据实施例的存储装置包含：绝缘层，其含有硅；界面层，其设置于所述绝缘层上且含有过渡金属的硫族化物；及导电层，其设置于所述界面层上、含有锑或铋，且具有超晶格结构。 | ||
| 搜索关键词： | 存储 装置 | ||
【主权项】：
1.一种存储装置，其特征在于包括：绝缘层，其含有硅；界面层，其设置于所述绝缘层上，所述界面层与所述绝缘层接触，且所述界面层由过渡金属的硫族化物组成；及电阻改变层，其设置于所述界面层上，所述电阻改变层含有锑或铋，且与所述绝缘层接触，所述电阻改变层具有由两个或两个以上硫族化物被堆叠形成的超晶格结构。
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