[发明专利]半导体器件的制作方法有效
| 申请号： | 201510557555.0 | 申请日： | 2015-09-02 |
| 公开（公告）号： | CN105185824A | 公开（公告）日： | 2015-12-23 |
| 发明（设计）人： | 陈一峰 | 申请（专利权）人： | 成都嘉石科技有限公司 |
| 主分类号： | H01L29/66 | 分类号： | H01L29/66;H01L21/683 |
| 代理公司： | 成都华风专利事务所(普通合伙) 51223 | 代理人： | 胡川 |
| 地址： | 610000 四川省成都市*** | 国省代码： | 四川;51 |
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| 摘要： | 本发明提供了一种半导体器件的制作方法。该制作方法包括：提供生长衬底，在生长衬底上制作多个孔洞；在生长衬底上形成外延片，外延片包括位于生长衬底上横向生长的成核层和位于成核层上的器件结构；提供支撑衬底，在器件结构上覆盖胶体，将支撑衬底与胶体粘合固定；将外延片与生长衬底分离；利用支撑衬底将外延片转移至目标载体，并在转移后去除胶体，得到半导体器件。通过上述方式，本发明能够通过外延片转移的方式集成不同材料衬底的优点。 | ||
| 搜索关键词： | 半导体器件 制作方法 | ||
【主权项】：
一种半导体器件的制作方法，其特征在于，包括：提供生长衬底，在所述生长衬底上制作多个孔洞；在所述生长衬底上形成外延片，所述外延片包括位于所述生长衬底上横向生长的成核层和位于所述成核层上的器件结构；提供支撑衬底，在所述器件结构上覆盖胶体，将所述支撑衬底与所述胶体粘合固定；将所述外延片与所述生长衬底分离；利用所述支撑衬底将所述外延片转移至目标载体，并在转移后去除所述胶体，得到半导体器件。
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