[发明专利]光电传感器及其驱动方法、阵列基板和显示装置有效

专利信息
申请号: 201510557736.3 申请日: 2015-09-02
公开(公告)号: CN105044955B 公开(公告)日: 2018-09-11
发明(设计)人: 吴俊纬 申请(专利权)人: 京东方科技集团股份有限公司
主分类号: G02F1/1333 分类号: G02F1/1333;G06F3/041;G06F3/042
代理公司: 北京润泽恒知识产权代理有限公司 11319 代理人: 莎日娜
地址: 100015 *** 国省代码: 北京;11
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摘要: 发明提供了一种光电传感器及其驱动方法、阵列基板和显示装置,该光电传感器包括:光电晶体管、放大晶体管、读出晶体管、复位晶体管和电容,并具有若干输入端;其中,光电晶体管的漏极、放大晶体管的栅极和复位晶体管的源极连接电容的第一端,光电晶体管的源极、读出晶体管的源极、放大晶体管的源极连接高电压输入端;复位晶体管的漏极、放大晶体管的漏极连接低电压输入端;光电晶体管的栅极、读出晶体管的栅极和复位晶体管的栅极各自连接一个输入端。本发明中,设置放大晶体管对写入到电容的电信号进行放大,这样能够在读出阶段,放大所读出的信号的强度,从而提高读取到的信号的信噪比,有助于提高光电检测精度。
搜索关键词: 光电 传感器 及其 驱动 方法 阵列 显示装置
【主权项】:
1.一种光电传感器,其特征在于,包括:光电晶体管、放大晶体管、读出晶体管、复位晶体管和电容,并具有若干输入端;其中,所述光电晶体管的漏极、所述放大晶体管的栅极和所述复位晶体管的源极连接所述电容的第一端;所述光电晶体管的源极、所述读出晶体管的源极和所述放大晶体管的源极连接高电压输入端;所述复位晶体管的漏极和所述放大晶体管的漏极连接低电压输入端;所述电容的第二端连接所述低电压输入端;所述光电晶体管的栅极、所述读出晶体管的栅极和所述复位晶体管的栅极各自连接一个输入端。
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