[发明专利]提升晶边良率的方法有效
| 申请号： | 201510557758.X | 申请日： | 2015-09-02 |
| 公开（公告）号： | CN106486417B | 公开（公告）日： | 2019-07-23 |
| 发明（设计）人： | 陈亚威;顾费东 | 申请（专利权）人： | 无锡华润上华科技有限公司 |
| 主分类号： | H01L21/768 | 分类号： | H01L21/768 |
| 代理公司： | 广州华进联合专利商标代理有限公司 44224 | 代理人： | 邓云鹏 |
| 地址： | 214028 江苏省无*** | 国省代码： | 江苏;32 |
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| 摘要： | 本发明涉及一种提升晶边良率的方法，包括以下步骤：提供晶圆衬底；在晶圆衬底上涂胶形成第一光刻胶层，并进行有源区洗边；在晶圆衬底上未被第一光刻胶层覆盖的位置形成氧化硅隔离结构；在晶圆衬底上形成有源区；在有源区上形成层间介质；在层间介质上涂胶形成第二光刻胶层，并进行接触孔洗边；在第二光刻胶层的掩蔽下刻蚀层间介质形成接触孔；通过沉积工艺向接触孔内填充金属；对填充了金属的层间介质进行平坦化处理；有源区洗边步骤中的洗边区域至少从晶圆边缘延伸至沉积区域边缘。本发明通过设定合适的洗边区域，无需额外的成本就可提升晶边良率。 | ||
| 搜索关键词： | 提升 晶边良率 方法 | ||
【主权项】：
1.一种提升晶边良率的方法，包括以下步骤：提供晶圆衬底；光刻形成第一光刻胶层；在所述晶圆衬底上涂胶形成第一光刻胶层，并进行有源区洗边；在所述晶圆衬底上未被第一光刻胶层覆盖的位置形成氧化硅隔离结构；在所述晶圆衬底上形成有源区；在所述有源区上形成层间介质；光刻形成第二光刻胶层；在所述层间介质上涂胶形成第二光刻胶层，并进行接触孔洗边；在所述第二光刻胶层的掩蔽下刻蚀所述层间介质形成接触孔；通过沉积工艺向所述接触孔内填充金属；对填充了金属的层间介质进行平坦化处理；所述有源区洗边步骤中的洗边区域至少从晶圆边缘延伸至所述通过沉积工艺向所述接触孔内填充金属的步骤中的沉积区域边缘。
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H01 基本电气元件
H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L21-00 专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
H01L21-02 .半导体器件或其部件的制造或处理
H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
H01L21-66 .在制造或处理过程中的测试或测量
H01L21-67 .专门适用于在制造或处理过程中处理半导体或电固体器件的装置；专门适合于在半导体或电固体器件或部件的制造或处理过程中处理晶片的装置
H01L21-70 .由在一共用基片内或其上形成的多个固态组件或集成电路组成的器件或其部件的制造或处理；集成电路器件或其特殊部件的制造
H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L21-00 专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
H01L21-02 .半导体器件或其部件的制造或处理
H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
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H01L21-67 .专门适用于在制造或处理过程中处理半导体或电固体器件的装置；专门适合于在半导体或电固体器件或部件的制造或处理过程中处理晶片的装置
H01L21-70 .由在一共用基片内或其上形成的多个固态组件或集成电路组成的器件或其部件的制造或处理；集成电路器件或其特殊部件的制造
