[发明专利]一种Pd‑MoS2异质结光伏太阳能电池器件及其制备方法

摘要

本发明公开一种Pd‑MoS2异质结光伏太阳能电池器件，其为层状结构，由上至下依次包括Pd金属前电极、Pd‑MoS2薄膜层、第一SiO2绝缘缓冲层、Si单晶基片、第二SiO2绝缘缓冲层和金属In背电极。其制备方法，主要采用直流磁控溅射技术、利用高能电子轰击Pd‑MoS2靶材表面，以溅射出大量离子并在经过钝化处理后的Si单晶基片表面上沉积成薄膜；并制备出前电极与背电极层，即成。本发明的Pd‑MoS2异质结光伏太阳能电池器件，其开路电压、短路电流密度和光转换效率，相对于现有技术的同类产品，分别提高了60％、160％和300％以上。本发明的工艺简单、生产过程及产品均绿色环保，成品率高、制造成本低，适于规模化工业生产。

主权项

一种Pd‑MoS2异质结光伏太阳能电池器件，其特征在于，为层状结构，由上至下依次包括Pd金属前电极、Pd‑MoS2薄膜层、第一SiO2绝缘缓冲层、Si单晶基片、第二SiO2绝缘缓冲层和金属In背电极；其中：所述Si单晶基片是单面抛光，晶面取向为(100)面、导电类型为n型；所述第一SiO2绝缘缓冲层和第二SiO2绝缘缓冲层的厚度均为1‑3nm；所述Pd‑MoS2薄膜层、Pd金属前电极和金属In背电极的厚度分别为10‑30nm、30‑40nm、0.2mm；上述Pd‑MoS2薄膜层中，Pd与MoS2的摩尔比为0.5‑5︰95‑99.5。