[发明专利]释放负离子人造大理石材料及其制造技术在审
| 申请号： | 201510559035.3 | 申请日： | 2015-09-06 |
| 公开（公告）号： | CN105602171A | 公开（公告）日： | 2016-05-25 |
| 发明（设计）人： | 李青山;李柏峰;刘焕萍;张超辉;王万琪;张妮 | 申请（专利权）人： | 北京森源华诚科技发展有限公司 |
| 主分类号： | C08L33/12 | 分类号： | C08L33/12;C08L67/06;C08L51/08;C08K13/02;C08K3/34 |
| 代理公司： | 暂无信息 | 代理人： | 暂无信息 |
| 地址： | 100020 北京市*** | 国省代码： | 北京;11 |
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| 摘要： | 释放负离子人造大理石材料及其制造技术采用可释放负离子的安娜奥系列负离子添加剂系列超细粉体，通过掺杂共混的方法创制了安娜奥系列负离子添加剂，加入到聚氨酯、聚醚、聚苯乙烯、聚氯乙烯等高分子材料中，成功的生产出具有释放负离子的水族功能材料。可释放负离子的安娜奥系列的超细微粉在组合料中具有非常好的分散性，在加工过程中不存在任何工艺缺陷。 | ||
| 搜索关键词： | 释放 负离子 人造 大理石 材料 及其 制造 技术 | ||
【主权项】：
释放负离子人造大理石材料及其制造技术，其特征在于：它是由下述质量配比的原料制成的，配方：发明配方：不饱和聚酯10‑100；过氧化苯甲酰0.2‑4；二甲基苯胺0.1‑4；苯乙烯或甲基丙烯酸甲酯树脂3‑55；安娜奥系列负离子添加剂0.1‑30；助剂0‑10；色浆0‑20；促进剂0.1‑3。
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