[发明专利]封装芯片失效分析样品及其制备方法有效
| 申请号： | 201510559204.3 | 申请日： | 2015-09-06 |
| 公开（公告）号： | CN106505003B | 公开（公告）日： | 2019-08-27 |
| 发明（设计）人： | 王潇;何明;孔云龙 | 申请（专利权）人： | 中芯国际集成电路制造（天津）有限公司;中芯国际集成电路制造（上海）有限公司 |
| 主分类号： | H01L21/66 | 分类号： | H01L21/66 |
| 代理公司： | 上海思微知识产权代理事务所(普通合伙) 31237 | 代理人： | 屈蘅;李时云 |
| 地址： | 300385 天*** | 国省代码： | 天津;12 |
| 权利要求书： | 查看更多 | 说明书： | 查看更多 |
| 摘要： | 本发明揭示了一种封装芯片失效分析样品的制备方法，包括：提供一封装芯片，所述封装芯片包括正面以及与所述正面相对设置的背面，所述封装芯片的背面上设置有多个金属球；对所述金属球背离所述封装芯片正面的一侧进行部分去除；在所述金属球的一侧制备一胶层；所述胶层蘸取金属粉末；对蘸取所述金属粉末的胶层进行加热固化，所述金属粉末和胶层形成一金属层；以及在所述金属层背离所述封装芯片正面的一侧磨出一平面。本发明还公开了一种封装芯片失效分析样品。本发明提供的封装芯片失效分析样品及其制备方法能够方便准确的对封装芯片进行失效分析。 | ||
| 搜索关键词： | 封装 芯片 失效 分析 样品 及其 制备 方法 | ||
【主权项】：
1.一种封装芯片失效分析样品的制备方法，所述封装芯片具有正面以及与所述正面相对设置的背面，所述封装芯片的背面上设置有多个金属球，其特征在于，包括：对所述金属球背离所述封装芯片正面的一侧进行部分去除；在所述金属球的一侧制备一胶层；所述胶层蘸取金属粉末；对蘸取所述金属粉末的胶层进行加热固化，所述金属粉末和胶层形成一金属层；以及在所述金属层背离所述封装芯片正面的一侧磨出一平面。
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H01 基本电气元件
H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L21-00 专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
H01L21-02 .半导体器件或其部件的制造或处理
H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
H01L21-66 .在制造或处理过程中的测试或测量
H01L21-67 .专门适用于在制造或处理过程中处理半导体或电固体器件的装置；专门适合于在半导体或电固体器件或部件的制造或处理过程中处理晶片的装置
H01L21-70 .由在一共用基片内或其上形成的多个固态组件或集成电路组成的器件或其部件的制造或处理；集成电路器件或其特殊部件的制造
H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L21-00 专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
H01L21-02 .半导体器件或其部件的制造或处理
H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
H01L21-66 .在制造或处理过程中的测试或测量
H01L21-67 .专门适用于在制造或处理过程中处理半导体或电固体器件的装置；专门适合于在半导体或电固体器件或部件的制造或处理过程中处理晶片的装置
H01L21-70 .由在一共用基片内或其上形成的多个固态组件或集成电路组成的器件或其部件的制造或处理；集成电路器件或其特殊部件的制造
