[发明专利]提高关键尺寸精确性的方法有效
| 申请号： | 201510559205.8 | 申请日： | 2015-09-06 |
| 公开（公告）号： | CN106504975B | 公开（公告）日： | 2019-12-27 |
| 发明（设计）人： | 陈彧 | 申请（专利权）人： | 中芯国际集成电路制造(天津)有限公司;中芯国际集成电路制造(上海)有限公司 |
| 主分类号： | H01L21/02 | 分类号： | H01L21/02;H01L21/033 |
| 代理公司： | 31237 上海思微知识产权代理事务所(普通合伙) | 代理人： | 屈蘅;李时云 |
| 地址： | 300385 天津市*** | 国省代码： | 天津;12 |
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| 摘要： | 本发明揭示了一种提高关键尺寸精确性的方法。包括：提供晶圆，所述晶圆包括晶圆正面以及与所述晶圆正面相对设置的晶圆背面，所述晶圆背面形成有保护层；对所述保护层进行离子注入，使之产生对晶圆的压应力；在所述晶圆正面形成碳掩膜层，所述碳掩膜层对晶圆施加压应力；以及在所述碳掩膜层上涂敷光阻，并进行光刻工艺，获得图案化的光阻。与现有技术相比，通过离子注入，使得保护层产生了对晶圆的压应力，从而与在晶圆正面形成的碳掩膜层所产生的压应力相抵消，这就确保了晶圆基本能够维持平整，避免了晶圆的翘曲形变，使得关键尺寸得到了保证。 | ||
| 搜索关键词： | 提高 关键 尺寸 精确性 方法 | ||
【主权项】：
1.一种提高关键尺寸精确性的方法，包括：/n提供晶圆，所述晶圆包括晶圆正面以及与所述晶圆正面相对设置的晶圆背面，所述晶圆背面形成有保护层，所述保护层对晶圆产生张应力；/n对所述保护层进行离子注入，使之产生对晶圆的压应力，且所述离子注入的剂量和能量根据所需要形成的碳掩膜层的厚度来进行相应的调整；/n在所述晶圆正面形成碳掩膜层，所述碳掩膜层对晶圆施加压应力，所述保护层产生的压应力与所述碳掩膜层产生的压应力抵消，且所述碳掩膜层的厚度大于等于
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H01 基本电气元件
H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L21-00 专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
H01L21-02 .半导体器件或其部件的制造或处理
H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
H01L21-66 .在制造或处理过程中的测试或测量
H01L21-67 .专门适用于在制造或处理过程中处理半导体或电固体器件的装置；专门适合于在半导体或电固体器件或部件的制造或处理过程中处理晶片的装置
H01L21-70 .由在一共用基片内或其上形成的多个固态组件或集成电路组成的器件或其部件的制造或处理；集成电路器件或其特殊部件的制造
H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L21-00 专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
H01L21-02 .半导体器件或其部件的制造或处理
H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
H01L21-66 .在制造或处理过程中的测试或测量
H01L21-67 .专门适用于在制造或处理过程中处理半导体或电固体器件的装置；专门适合于在半导体或电固体器件或部件的制造或处理过程中处理晶片的装置
H01L21-70 .由在一共用基片内或其上形成的多个固态组件或集成电路组成的器件或其部件的制造或处理；集成电路器件或其特殊部件的制造
