[发明专利]晶圆运载箱及其制备方法有效
| 申请号： | 201510559271.5 | 申请日： | 2015-09-06 |
| 公开（公告）号： | CN106505021B | 公开（公告）日： | 2019-05-03 |
| 发明（设计）人： | 王芬;王立众;禹菲菲 | 申请（专利权）人： | 中芯国际集成电路制造（天津）有限公司;中芯国际集成电路制造（上海）有限公司 |
| 主分类号： | H01L21/673 | 分类号： | H01L21/673 |
| 代理公司： | 上海思微知识产权代理事务所(普通合伙) 31237 | 代理人： | 屈蘅;李时云 |
| 地址： | 300385 天津市*** | 国省代码： | 天津;12 |
| 权利要求书： | 查看更多 | 说明书： | 查看更多 |
| 摘要： | 本发明提供一种晶圆运载箱及其制备方法，包括：合成硼硅氧烷，在所述硼硅氧烷中加入表面活性剂以及添加剂，形成混合材料，将所述混合材料与第一聚合物混合均匀；将所述混合材料与所述第一聚合物混合形成的材料以及第二聚合物注入到注塑机中，所述第一聚合物与所述第二聚合物进行化学反应合成注塑材料，所述混合材料填充在所述注塑材料的空隙中；将所述注塑材料注入到晶圆运载箱的模具中，形成所述晶圆运载箱。本发明中，由于所述混合材料中形成有氢键，在晶圆运载箱受到外力冲击时，氢键会断开，并且，所述混合材料中的表面活性剂与添加剂使得晶圆运载箱的粘度增加，从而将外力分散，避免晶圆破碎。并且，氢键的断开与成键过程是可逆的。 | ||
| 搜索关键词： | 运载 及其 制备 方法 | ||
【主权项】：
1.一种晶圆运载箱的制备方法，其特征在于，包括：制备硼硅氧烷，在所述硼硅氧烷中加入表面活性剂以及添加剂，形成混合材料，将所述混合材料与第一聚合物混合均匀，其中，所述硼硅氧烷中含有氢键，所述添加剂用于提高所述硼硅氧烷的粘度；将所述混合材料与所述第一聚合物混合形成的材料以及第二聚合物注入到注塑机中，所述第一聚合物与所述第二聚合物进行化学反应合成注塑材料，所述混合材料填充在所述注塑材料的空隙中；将所述注塑材料注入到晶圆运载箱的模具中，形成所述晶圆运载箱。
下载完整专利技术内容需要扣除积分，VIP会员可以免费下载。
该专利技术资料仅供研究查看技术是否侵权等信息，商用须获得专利权人授权。该专利全部权利属于中芯国际集成电路制造（天津）有限公司;中芯国际集成电路制造（上海）有限公司，未经中芯国际集成电路制造（天津）有限公司;中芯国际集成电路制造（上海）有限公司许可，擅自商用是侵权行为。如果您想购买此专利、获得商业授权和技术合作，请联系【客服】
本文链接：http://www.vipzhuanli.com/patent/201510559271.5/，转载请声明来源钻瓜专利网。
- 同类专利
- 专利分类
H01 基本电气元件
H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L21-00 专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
H01L21-02 .半导体器件或其部件的制造或处理
H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
H01L21-66 .在制造或处理过程中的测试或测量
H01L21-67 .专门适用于在制造或处理过程中处理半导体或电固体器件的装置；专门适合于在半导体或电固体器件或部件的制造或处理过程中处理晶片的装置
H01L21-70 .由在一共用基片内或其上形成的多个固态组件或集成电路组成的器件或其部件的制造或处理；集成电路器件或其特殊部件的制造
H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L21-00 专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
H01L21-02 .半导体器件或其部件的制造或处理
H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
H01L21-66 .在制造或处理过程中的测试或测量
H01L21-67 .专门适用于在制造或处理过程中处理半导体或电固体器件的装置；专门适合于在半导体或电固体器件或部件的制造或处理过程中处理晶片的装置
H01L21-70 .由在一共用基片内或其上形成的多个固态组件或集成电路组成的器件或其部件的制造或处理；集成电路器件或其特殊部件的制造
