[发明专利]等离子处理装置以及等离子处理方法

摘要

本发明提供一种等离子处理装置以及等离子处理方法，等离子处理方法针对预先形成在真空容器的内部的处理室内所载置的晶片的上表面、且包含处理对象的膜以及配置于该膜的下方的基底膜的膜构造，利用形成于处理室内的等离子来进行处理，其具备：在任意的晶片上的膜构造的处理中所得到的干涉光的以波长为参数的强度的实际图案与在任意的晶片的处理前预先对具有处理对象的膜以及基底膜的三个以上不同厚度的基底膜的膜构造进行处理所获得的干涉光的以波长为参数的强度的图案之中，对将两个图案合成后的检测用图案的数据和实际图案的数据进行比较，并利用比较的结果来计算任意的晶片的处理中的时刻的处理对象的膜的蚀刻量的步骤。

主权项

1.一种等离子处理方法，针对在载置于真空容器的内部的处理室内的晶片的上表面预先形成的膜构造、即包含处理对象的膜以及配置于该膜的下方的基底膜的膜构造的所述处理对象的膜，利用在所述处理室内所形成的等离子来进行处理，/n所述等离子处理方法的特征在于，具备：/n在任意的所述晶片上的所述处理对象的膜的处理中，检测从所述处理对象的膜得到的干涉光的以波长为参数的强度的实际图案的步骤；/n在任意的所述晶片的所述处理对象的膜的处理之前预先对于包含所述处理对象的膜以及所述基底膜的多个所述膜构造且各个基底膜的厚度相互不同的三个以上的所述膜构造，在相对于所述处理对象的膜的剩余膜厚度的变化的从该处理对象的膜所获得的所述干涉光的以波长为参数的强度的图案之中选择的两个图案作为基本图案被合成以使得与所述实际图案的差最小从而作为与该两个基本图案不同的图案而得到检测用图案，对该检测用图案的数据和所述实际图案的数据进行比较，利用比较的结果来计算任意的所述晶片的所述处理对象的膜的处理中的规定的时刻的所述处理对象的膜的蚀刻量的步骤；和/n利用所述蚀刻量来判定所述处理对象的膜是否达到所述处理对象的膜的处理的目标的步骤。/n