[发明专利]石墨烯晶体管的小信号模型的截止频率的计算方法

摘要

一种石墨烯晶体管的小信号模型的截止频率的计算方法，包括：在衬底上形成多个以石墨烯材料作为有源区的MOSFET，其中在各个有源区上形成源漏金属接触；测量各个MOSFET的截止频率；针对于原始的小信号模型和石墨烯有源区与源漏金属接触之间的接触电容存在的特殊性质，将传统的小信号模型加以修改的到新的小信号等效模型；基于新的小信号等效模型，利用传统电路分析方法、KCL以及KVL分析方法，得到新的截止频率的数值解；将截止频率的数值解与截止频率的测量值做比较，反馈修改小信号等效模型。利用本发明可以精确计算及拟合石墨烯晶体管的截止频率，适于石墨烯晶体管的高频研究。本发明理论合理，结果精确，简单易行，有利于建立完整的石墨烯晶体管小信号仿真模型。

主权项

1.一种石墨烯晶体管的小信号模型的截止频率的计算方法，该方法包括：在衬底上形成多个以石墨烯材料作为有源区的MOSFET，其中在各个有源区上形成源漏金属接触；测量各个MOSFET的截止频率；针对于原始的小信号模型和石墨烯有源区与源漏金属接触之间存在接触电容的特殊性质，将传统的小信号模型加以修改得到新的小信号等效模型，其中增加接触电容得到新的小信号等效模型；基于新的小信号等效模型，利用传统电路分析方法、基尔霍夫电流定律(KCL)以及基尔霍夫电压定律(KVL)分析方法，得到新的截止频率的数值解,其中，得到新的截止频率的数值解进一步包括，基于此数值解模型，对于低频的截止频率，数值模型进一步简化，得到适用于低频的解析计算模型；或者基于此数值解模型，对于高频的截止频率，数值模型进一步简化，得到适用于高频的解析计算模型；或者基于此数值解模型，对于高频及低频的截止频率，利用数学拟合方法，得到既适用于高频也适用于低频的解析模型；将截止频率的数值解与截止频率的测量值做比较，反馈修改小信号等效模型。