[发明专利]针对DDR的PCB信号完整性设计方法在审
申请号: | 201510560467.6 | 申请日: | 2015-09-07 |
公开(公告)号: | CN105183986A | 公开(公告)日: | 2015-12-23 |
发明(设计)人: | 孙骥;王帅 | 申请(专利权)人: | 上海飞斯信息科技有限公司 |
主分类号: | G06F17/50 | 分类号: | G06F17/50 |
代理公司: | 暂无信息 | 代理人: | 暂无信息 |
地址: | 201203 上海市浦东新区*** | 国省代码: | 上海;31 |
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摘要: | 本发明公开了一种针对DDR的PCB信号完整性设计方法,从以下几个方面对DDR2和DDR3的PCB信号完整性进行优化设计:(1)PCB的叠层和阻抗;(2)互联通路拓扑;(3)时延的匹配。本发明通过PCB叠层、阻抗、互联拓扑、时延匹配等方面对DDR的信号质量影响因素进行深入剖析,经过优化设计,提高了信号的余量,增强了其抗干扰能力。 | ||
搜索关键词: | 针对 ddr pcb 信号 完整性 设计 方法 | ||
【主权项】:
针对DDR的PCB信号完整性设计方法,所述DDR包括DDR2和DDR3,其特征在于,从以下几个方面对DDR2和DDR3的PCB信号完整性进行优化设计:(1)PCB的叠层和阻抗对于四层基板来说,其所有的信号线只能走在顶层和地层,中间的两层,其中一层为地平面层,而另一层为 VDD 平面层,Vtt和Vref在VDD平面层布线;对于六层基板来说,设计拓扑结构即可提高PI;对于DDR2,阻抗必须是恒定连续的,单端走线的阻抗匹配电阻50 Ohms必须被用到所有的单端信号上,且做到阻抗匹配,而对于差分信号,100 Ohms的终端阻抗匹配电阻必须被用到所有的差分信号终端,另外,所有的匹配电阻必须上拉到VTT,且保持50 Ohms,ODT的设置也必须保持在50 Ohms;对于DDR3,单端信号的终端匹配电阻在40 Ohms和60 Ohms之间,上拉到VTT的终端匹配电阻在30‑70 Ohms之间,而差分信号的阻抗匹配电阻始终在100 Ohms;(2)互联通路拓扑对于DDR2和DDR3,其中信号DQ、DM和DQS都是点对点的互联方式,而不需要任何的拓扑结构,对于multi‑rank DIMMs,通过ODT的阻抗设置来做到阻抗匹配,从而实现其波形完整性,而对于地址线/控制线/命令线和时钟信号,则需要多点互联的树形拓扑结构、菊花链式拓扑结构或者Fly‑By拓扑结构;(3)时延的匹配在做到时延的匹配时,采用蛇形走线、带过孔的走线或者直走线进行布线;在中心线长度对等的情况下,蛇形走线的时延小于比直走线的实际延时,而对于带有过孔的走线,其时延比直走线的实际延时大,因此,需通过以下两种方法来解决:(1)用EDA工具进行精确的时延匹配计算,然后控制走线的长度;(2)在可接受的范围内,减少不匹配度。
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