[发明专利]针对DDR的PCB信号完整性设计方法在审

专利信息
申请号: 201510560467.6 申请日: 2015-09-07
公开(公告)号: CN105183986A 公开(公告)日: 2015-12-23
发明(设计)人: 孙骥;王帅 申请(专利权)人: 上海飞斯信息科技有限公司
主分类号: G06F17/50 分类号: G06F17/50
代理公司: 暂无信息 代理人: 暂无信息
地址: 201203 上海市浦东新区*** 国省代码: 上海;31
权利要求书: 查看更多 说明书: 查看更多
摘要: 发明公开了一种针对DDR的PCB信号完整性设计方法,从以下几个方面对DDR2和DDR3的PCB信号完整性进行优化设计:(1)PCB的叠层和阻抗;(2)互联通路拓扑;(3)时延的匹配。本发明通过PCB叠层、阻抗、互联拓扑、时延匹配等方面对DDR的信号质量影响因素进行深入剖析,经过优化设计,提高了信号的余量,增强了其抗干扰能力。
搜索关键词: 针对 ddr pcb 信号 完整性 设计 方法
【主权项】:
针对DDR的PCB信号完整性设计方法,所述DDR包括DDR2和DDR3,其特征在于,从以下几个方面对DDR2和DDR3的PCB信号完整性进行优化设计:(1)PCB的叠层和阻抗对于四层基板来说,其所有的信号线只能走在顶层和地层,中间的两层,其中一层为地平面层,而另一层为 VDD 平面层,Vtt和Vref在VDD平面层布线;对于六层基板来说,设计拓扑结构即可提高PI;对于DDR2,阻抗必须是恒定连续的,单端走线的阻抗匹配电阻50 Ohms必须被用到所有的单端信号上,且做到阻抗匹配,而对于差分信号,100 Ohms的终端阻抗匹配电阻必须被用到所有的差分信号终端,另外,所有的匹配电阻必须上拉到VTT,且保持50 Ohms,ODT的设置也必须保持在50 Ohms;对于DDR3,单端信号的终端匹配电阻在40 Ohms和60 Ohms之间,上拉到VTT的终端匹配电阻在30‑70 Ohms之间,而差分信号的阻抗匹配电阻始终在100 Ohms;(2)互联通路拓扑对于DDR2和DDR3,其中信号DQ、DM和DQS都是点对点的互联方式,而不需要任何的拓扑结构,对于multi‑rank DIMMs,通过ODT的阻抗设置来做到阻抗匹配,从而实现其波形完整性,而对于地址线/控制线/命令线和时钟信号,则需要多点互联的树形拓扑结构、菊花链式拓扑结构或者Fly‑By拓扑结构;(3)时延的匹配在做到时延的匹配时,采用蛇形走线、带过孔的走线或者直走线进行布线;在中心线长度对等的情况下,蛇形走线的时延小于比直走线的实际延时,而对于带有过孔的走线,其时延比直走线的实际延时大,因此,需通过以下两种方法来解决:(1)用EDA工具进行精确的时延匹配计算,然后控制走线的长度;(2)在可接受的范围内,减少不匹配度。
下载完整专利技术内容需要扣除积分,VIP会员可以免费下载。

该专利技术资料仅供研究查看技术是否侵权等信息,商用须获得专利权人授权。该专利全部权利属于上海飞斯信息科技有限公司,未经上海飞斯信息科技有限公司许可,擅自商用是侵权行为。如果您想购买此专利、获得商业授权和技术合作,请联系【客服

本文链接:http://www.vipzhuanli.com/patent/201510560467.6/,转载请声明来源钻瓜专利网。

×

专利文献下载

说明:

1、专利原文基于中国国家知识产权局专利说明书;

2、支持发明专利 、实用新型专利、外观设计专利(升级中);

3、专利数据每周两次同步更新,支持Adobe PDF格式;

4、内容包括专利技术的结构示意图流程工艺图技术构造图

5、已全新升级为极速版,下载速度显著提升!欢迎使用!

请您登陆后,进行下载,点击【登陆】 【注册】

关于我们 寻求报道 投稿须知 广告合作 版权声明 网站地图 友情链接 企业标识 联系我们

钻瓜专利网在线咨询

周一至周五 9:00-18:00

咨询在线客服咨询在线客服
tel code back_top