[发明专利]一种氧化物衬底辅助的快速制备大尺寸单晶石墨烯的方法有效
| 申请号： | 201510561590.X | 申请日： | 2015-09-07 |
| 公开（公告）号： | CN105112998B | 公开（公告）日： | 2018-02-13 |
| 发明（设计）人： | 徐小志;张智宏;刘开辉 | 申请（专利权）人： | 北京大学 |
| 主分类号： | C30B29/02 | 分类号： | C30B29/02;C30B25/18 |
| 代理公司： | 北京万象新悦知识产权代理事务所(普通合伙)11360 | 代理人： | 贾晓玲 |
| 地址： | 100871*** | 国省代码： | 北京;11 |
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| 摘要： | 本发明提供了一种氧化物衬底辅助的快速制备大尺寸单晶石墨烯的方法，涉及单晶石墨烯的制备方法。其主要特征为用金属箔片作为催化剂及生长基底，用氧化物作为衬底与金属箔片紧密接触，然后利用常压化学气相沉积法，快速获得大尺寸高质量单晶石墨烯。本发明提出的方法，解决了CVD方法制备大尺寸单晶石墨烯中常用单晶作为基底、基底表面处理工序复杂且生长周期长等技术问题，通过非常简单的方法，实现了极其快速地制备出高质量大尺寸的单晶石墨烯样品。 | ||
| 搜索关键词： | 一种 氧化物 衬底 辅助 快速 制备 尺寸 晶石 方法 | ||
【主权项】：
一种氧化物衬底辅助的快速制备大尺寸单晶石墨烯的方法，其特征在于，将从公开商业途径获得的金属箔片置于氧化物衬底上，并在金属箔片表面生长出高质量大尺寸单晶石墨烯，所述方法包括如下步骤：(一)、将所述从公开商业途径获得的金属箔片置于氧化物衬底上，放入化学气相沉积设备中，通入惰性气体，然后开始升温；(二)、温度升至900～1100℃时，通入H2气体，H2流量为2～50sccm，进行退火过程；(三)、退火结束后，开始通入CH4气体，CH4流量为0.5～50sccm，并调节H2流量为0.2～50sccm，CH4与H2流量比为0.01～100，生长时间为1s～60min；(四)、生长结束后，冷却至室温，在金属箔片的与氧化物衬底接触的表面生长出高质量大尺寸单晶石墨烯，即得到大尺寸单晶石墨烯。
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