[发明专利]一种利用等离子体原位清洗MWCVD舱体的方法

摘要

一种利用等离子体原位清洗MWCVD舱体的方法，本发明涉及清洗MWCVD舱体的方法。本发明要解决现有的MWCVD生长系统中沉积的金刚石、类金刚石及非晶碳层硬度耐磨度极高，且仪器本身特殊构造等因素造成难以将膜层除去的问题。方法一、吹洗舱体；二、关舱；三、抽真空；四、原位清洗，即完成一种利用等离子体原位清洗MWCVD舱体的方法。本发明用于利用等离子体原位清洗MWCVD舱体的方法。

主权项

一种利用等离子体原位清洗MWCVD舱体的方法，其特征在于一种利用等离子体原位清洗MWCVD舱体的方法是按照以下步骤进行的：一、吹洗舱体：用气枪对微波等离子体辅助化学气相沉积仪器舱体内部进行吹洗；二、关舱：将样品台移入舱体中心位置，关闭舱体舱门；三、抽真空：关舱后，对舱体进行抽真空，使舱体内真空度达到3.0×10‑6mbar～5.0×10‑6mbar；四、原位清洗：①、开启程序，通入氢气，设定氢气流量为200sccm，使得舱体气压为10mbar，启动微波发生器，激活等离子体；②、调节舱体气压为2mbar～8mbar，调节等离子体入射功率为1600W～1800W，调节反射功率为500W～1500W，使得等离子体球直径达到8cm～15cm；③、调节氢气流量为300sccm～400sccm，在舱体气压为2mbar～8mbar、氢气流量为300sccm～400sccm、等离子体入射功率为1600W～1800W、反射功率为500W～1500W及等离子体球直径为8cm～15cm的条件下，舱体在氢等离子体气氛中清洗60min；④、打开氧气阀门，通入氧气，设定氧气流量为15sccm～30sccm，待氧气与氢气的等离子体气氛混合均匀后，在舱体气压为2mbar～8mbar、氢气流量为300sccm～400sccm、氧气流量为15sccm～30sccm、等离子体入射功率为1600W～1800W、反射功率为500W～1500W及等离子体球直径为8cm～15cm的条件下，舱体在氢氧混合等离子体气氛下清洗2h～10h；⑤、关闭氧气阀门，停止通入氧气；⑥、将氧气完全排出，保持氢气流量为300sccm～400sccm，在舱体气压为2mbar～8mbar、氢气流量为300sccm～400sccm、等离子体入射功率为1600W～1800W、反射功率为500W～1500W及等离子体球直径为8cm～15cm的条件下，舱体在氢等离子体气氛下清洗10min～30min；⑦、将反射功率调节至100W～300W，关闭微波发生器，熄灭等离子体辉光；⑧、调节氢气流量为50sccm～200sccm，在舱体气压为2mbar～8mbar及氢气流量为50sccm～200sccm的条件下，对舱体吹洗10min～30min，即完成一种利用等离子体原位清洗MWCVD舱体的方法。