[发明专利]一种用X射线衍射测定立方单晶体材料应力的方法在审
申请号: | 201510563598.X | 申请日: | 2015-09-07 |
公开(公告)号: | CN105136361A | 公开(公告)日: | 2015-12-09 |
发明(设计)人: | 张宇民;曾秋云;周玉峰 | 申请(专利权)人: | 哈尔滨工业大学 |
主分类号: | G01L1/25 | 分类号: | G01L1/25 |
代理公司: | 哈尔滨市松花江专利商标事务所 23109 | 代理人: | 杨立超 |
地址: | 150001 黑龙*** | 国省代码: | 黑龙江;23 |
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摘要: |
一种用X射线衍射测定立方单晶体材料应力的方法,涉及一种测定立方单晶体材料应力的方法。本发明为了解决现有的单晶体材料应力的测量方法测定结果的可靠性不高的问题。本发明首先利用极图技术,准确确定晶体的方向;对处理后的试样利用X射线衍射技术得到极图,通过极图分析进一步得到方位角 |
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搜索关键词: | 一种 射线 衍射 测定 立方 单晶体 材料 应力 方法 | ||
【主权项】:
一种用X射线衍射测定立方单晶体材料应力的方法,其特征在于包括以下步骤:步骤1、选取立方晶系材料,并用线切割将其加工出片状单晶式试样,并将片状单晶式试样进一步进行处理;步骤2、测定方位角
和ψ:利用极图技术,准确确定晶体的方向;对处理后的试样利用X射线衍射技术得到极图,通过极图分析进一步得到方位角
和ψ;步骤3、建立关系坐标系并且进行单晶定向,给出样品坐标系S、实验室参考坐标系L和晶体坐标系X;三个坐标系的原点重合;(1)样品坐标系S:样品坐标系S的三个轴分别为S1、S2和S3;S3轴是垂直于试样表面的取向,即试样表面法线为晶体[n1 n2 n3]方向;S1和S2轴在试样表面的平面内,如果表面的晶面存在择优取向,即轧制样品情况;S1方向沿轧制方向取向,即晶体[ω1 ω2 ω3]方向;(2)实验室参考坐标系L:实验室参考坐标系L的三个轴分别为L1、L2和L3;L3与衍射矢量一致,是晶面(hkl)法线方向;设定L3位于S3偏向S1一侧的空间上;(3)晶体坐标系X:晶体坐标系X三个轴分别为X1、X2和X3;对于立方晶系参考轴选择,与晶体点阵的a、b、c轴一致;应变测量的方向由方位角
和ψ决定,应变测量的方向即是衍射矢量的方向;ψ为衍射矢量相对于试样表面法线的倾角,
为L1与样品坐标系S1轴的夹角;样品坐标系S与晶体坐标系X转换矩阵为![]()
其中,![]()
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π21=π13π32‑π12π33,π22=π11π33‑π13π31,π23=π12π31‑π11π32;实验室参考坐标系L与晶体坐标系X转换矩阵为![]()
其中,![]()
某(hkl)晶面与样品坐标系S三个坐标轴之间的关系为:![]()
cosψ=γ31π31+γ32π32+γ33π33改变方位角ψ和
对于一系列n≧3个(hkl)晶面:sinψksinφk=γ31kπ11+γ32kπ12+γ33kπ13,k=1,2,…,n
cosψk=γ31kπ31+γ32kπ32+γ33kπ33,k=1,2,…,nk表示多组参数,ψk、
γ31k、γ32k、γ33k为多组ψ、
γ31、γ32、γ33的表现形式;利用一系列(hkl)晶面指数,由式(2)计算出γ31、γ32、γ32系数,再结合方位角ψ和
采用多元线性回归分析方法求解出π11、π12、π13、π21、π22、π23、π31、π32、π33;由n1/n2/n3=π31/π32/π33和ω1/ω2/ω3=π11/π12/π13,确定[n1n2n3]和[ω1ω2ω3]方向;步骤4、根据关系坐标系以及弹性力学应力应变的关系,得到2θ‑2θ0=A1σ11+A2σ12+A3σ22 (5)其中,2θ为立方晶系材料晶面实测衍射角;2θ0为立方晶系材料无应力状态下的晶面实测衍射角;σ11、σ22为主应力,σ12为剪切应力;![]()
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s11、s12、s44为立方单晶材料的弹性柔度系数;改变方位角ψ和
分别求得A1,A2,A3代入式(5),进而求得σ11、σ12、σ22。
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