[发明专利]电压探测电路以及上电复位电路有效

专利信息
申请号: 201510564040.3 申请日: 2015-09-07
公开(公告)号: CN106505980B 公开(公告)日: 2019-04-19
发明(设计)人: 李炳云;杨嘉栋 申请(专利权)人: 中芯国际集成电路制造(上海)有限公司;中芯国际集成电路制造(北京)有限公司
主分类号: H03K17/22 分类号: H03K17/22;H03K17/687
代理公司: 上海思微知识产权代理事务所(普通合伙) 31237 代理人: 屈蘅;李时云
地址: 201203 *** 国省代码: 上海;31
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摘要: 发明提供一种电压探测电路以及上电复位电路,电压探测电路包括第一PMOS晶体管,第一PMOS晶体管的栅极连接第一节点,源极连接电源线,漏极连接第二节点;第一NMOS晶体管,第一NMOS晶体管的栅极连接参考电压,源极接地,漏极连接第二节点;第二PMOS晶体管,第二PMOS晶体管的栅极和源极连接电源线,漏极连接第一节点;第二NMOS晶体管,第二NMOS晶体管的栅极连接第三节点,源极接地,漏极连接第一节点;第三PMOS晶体管,第三PMOS晶体管的栅极和漏极连接第三节点,源极连接电源线;以及输出端,连接第二节点。通过该电压探测电路,在电源线电压较低时,使得第二节点的电压稳定在一定范围内,从而将glitch现象过滤掉,避免对上电复位电路的输出的影响,提高器件的稳定性。
搜索关键词: 电压 探测 电路 以及 复位
【主权项】:
1.一种电压探测电路,其特征在于,包括:第一PMOS晶体管,所述第一PMOS晶体管的栅极连接第一节点,源极连接电源线,漏极连接第二节点;第一NMOS晶体管,所述第一NMOS晶体管的栅极连接一参考电压,源极接地,漏极连接所述第二节点;第二PMOS晶体管,所述第二PMOS晶体管的栅极和源极连接所述电源线,漏极连接所述第一节点;第二NMOS晶体管,所述第二NMOS晶体管的栅极连接第三节点,源极接地,漏极连接所述第一节点;第三PMOS晶体管,所述第三PMOS晶体管的栅极和漏极连接所述第三节点,源极连接所述电源线;以及输出端,所述输出端连接所述第二节点;其中,在电源线的电压上电的过程中,所述电源线的电压上升,并且在所述电源线的电压上升的过程中,所述参考电压先迅速上升,后缓慢上升,并上升到维持在一个稳定的范围内。
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