[发明专利]半导体器件的制备方法

摘要

本发明提供一种半导体器件的制备方法，在形成第二多晶硅层之后，在第二多晶硅层上形成保护层，并且，在刻蚀保护层和第二多晶硅层之后，在第一介质层上形成第二介质层。在采用干法刻蚀第二介质层和第一介质层时，保护层防止干法刻蚀工艺损伤第二多晶硅层，并且，保留侧墙周围的部分第二介质层以及部分第一介质层，在采用湿法刻蚀工艺去除保护层时，第二介质层和第一介质层保护侧墙不受湿法刻蚀工艺的影响。最后，通过湿法刻蚀工艺将保护层、第一介质层和第二介质层完全去除，本发明中，保护侧墙和第二多晶硅层不受刻蚀工艺的影响，提高器件的性能。

主权项

1.一种半导体器件的制备方法，其特征在于，包括：提供半导体衬底，所述半导体衬底的预定区域上形成有层叠设置的第一多晶硅层和第一介质层以及围绕所述第一多晶硅层以及第一介质层的侧墙；形成第二多晶硅层和保护层，所述第二多晶硅层覆盖所述第一介质层、所述侧墙以及所述半导体衬底，所述保护层覆盖所述第二多晶硅层；去除所述第一多晶硅层上方的第二多晶硅层以及所述第一多晶硅层上方的所述保护层，形成暴露所述第一介质层的开口，以及，剩余的第二多晶硅层覆盖所述半导体衬底以及所述侧墙，剩余的保护层覆盖所述剩余的第二多晶硅层；形成第二介质层，所述第二介质层覆盖所述开口的底壁和侧壁以及所述剩余的保护层；采用干法刻蚀工艺去除所述剩余的保护层上的第二介质层、所述第一多晶硅层上的部分第二介质层以及所述第一多晶硅层上的部分第一介质层；采用湿法刻蚀工艺去除所述剩余的保护层；以及采用湿法刻蚀工艺去除所述第一介质层和所述第二介质层。