[发明专利]检测晶圆中铁含量异常的装置及其方法有效
申请号: | 201510564059.8 | 申请日: | 2015-09-07 |
公开(公告)号: | CN106505004B | 公开(公告)日: | 2019-05-03 |
发明(设计)人: | 李广宁;陈林;徐依协 | 申请(专利权)人: | 中芯国际集成电路制造(上海)有限公司;中芯国际集成电路制造(北京)有限公司 |
主分类号: | H01L21/66 | 分类号: | H01L21/66;H01L21/67 |
代理公司: | 上海思微知识产权代理事务所(普通合伙) 31237 | 代理人: | 屈蘅;李时云 |
地址: | 201203 *** | 国省代码: | 上海;31 |
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摘要: | 本发明提供一种检测晶圆中铁(Fe)含量异常的装置及其方法,包括晶圆承载台、注入腔体、光照腔体、热处理腔体和少子寿命测量腔体,晶圆可以在各个腔体之间进行传递。本发明中,在基准晶圆和待测晶圆表面形成第一掺杂层和第二掺杂层,掺杂离子与Fe离子在光照下形成第一复合体和第二复合体,使晶圆的少子寿命降低,对晶圆进行热处理之后,第一复合体和第二复合体分解,晶圆的少子寿命又恢复为初始值。因此,通过测量不同时刻晶圆的少子寿命,将待测晶圆与基准晶圆的少子寿命下降的数值进行对比,从而判断待测晶圆中铁含量是否异常。此外,铁含量越高,形成的第一复合体和第二复合体越多,晶圆的少子寿命越小,半定量得出不同晶圆之间铁含量的差异。 | ||
搜索关键词: | 检测 晶圆中铁 含量 异常 装置 及其 方法 | ||
【主权项】:
1.一种检测晶圆中铁含量异常的方法,其特征在于,包括:提供基准晶圆和待测晶圆,分别在所述基准晶圆和所述待测晶圆表面形成第一掺杂层和第二掺杂层,测量所述基准晶圆和所述待测晶圆的少子寿命,得到第一基准少子寿命和第一少子寿命;对所述基准晶圆和所述待测晶圆进行一光照过程,所述第一掺杂层和所述第二掺杂层中的掺杂离子分别与铁离子形成第一复合体和第二复合体,测量所述基准晶圆和所述待测晶圆的少子寿命,分别得到第二基准少子寿命和第二少子寿命;对所述基准晶圆和所述待测晶圆进行一热处理过程,分别使得所述第一复合体和所述第二复合体分解,测量所述基准晶圆和所述待测晶圆的少子寿命,分别得到第三基准少子寿命和第三少子寿命;所述第二基准少子寿命与所述第一基准少子寿命的差值形成第一差值,所述第二少子寿命与所述第一少子寿命的差值形成第二差值,若所述第三基准少子寿命与第一基准少子寿命之间的差值小于所述第一差值,且所述第三少子寿命与所述第一少子寿命之间的差值小于所述第二差值,且所述第二差值大于所述第一差值时,则所述待测晶圆中的铁含量异常。
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H01 基本电气元件
H01L 半导体器件;其他类目中不包括的电固体器件
H01L21-00 专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
H01L21-02 .半导体器件或其部件的制造或处理
H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
H01L21-66 .在制造或处理过程中的测试或测量
H01L21-67 .专门适用于在制造或处理过程中处理半导体或电固体器件的装置;专门适合于在半导体或电固体器件或部件的制造或处理过程中处理晶片的装置
H01L21-70 .由在一共用基片内或其上形成的多个固态组件或集成电路组成的器件或其部件的制造或处理;集成电路器件或其特殊部件的制造
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