[发明专利]低温多晶硅阵列基板及其制作方法

摘要

本发明提供一种低温多晶硅阵列基板及其制作方法，包括：沉积遮光层，并蚀刻出第一遮光图案；沉积非晶硅层，并对所述非晶硅层进行结晶化处理、和蚀刻处理，以形成PMOS薄膜晶体管区域；在所述PMOS薄膜晶体管区域上涂布第一光阻，以使非晶硅层上形成遮挡沟道；在遮挡沟道之外的PMOS薄膜晶体管区域内植入高浓度硼离子形成硼重掺杂区域，其中所述高浓度硼是指硼离子浓度大于1X10¹³个/立方厘米；分别沉积栅极绝缘膜、栅极金属、公共电极、钝化保护层和像素电极，以形成低温多晶硅阵列基板。本发明在栅极绝缘膜成膜前注入预定浓度的离子，以形成重掺杂区，进而形成对应的欧姆接触，可以避免对栅极绝缘膜的破坏，有效提高阵列基板的良率。

主权项

1.一种低温多晶硅阵列基板的制作方法，其特征在于，包括：在玻璃基板上沉积遮光层以形成NMOS薄膜晶体管区域；通过半透式光罩在所述NMOS薄膜晶体管区域上形成带有沟道的第二光阻；在所述第二光阻的沟道两端植入高浓度磷以形成磷重掺杂区域，其中所述高浓度磷是指磷离子浓度大于1X1013个/立方厘米；在所述NMOS薄膜晶体管区域与所述第二光阻上进行蚀刻以形成蚀刻区域，并在所述蚀刻区域内注入低浓度磷，以形成低掺杂漏极，其中所述低浓度磷是指磷离子浓度小于1X1013个/立方厘米；分别沉积栅极绝缘膜、栅极金属、公共电极、和像素电极，以形成低温多晶硅阵列基板；以及在沉积所述栅极绝缘膜的步骤之前还包括：剥除所述第二光阻，在所述玻璃基板上铺设多晶硅层，重新曝光显影以在所述NMOS薄膜晶体管区域形成遮挡多晶硅，以及PMOS薄膜晶体管区域形成遮挡沟道。