[发明专利]一种基于迭片电极的有机薄膜场效应晶体管及其制备方法有效
申请号: | 201510564121.3 | 申请日: | 2015-09-08 |
公开(公告)号: | CN106505148B | 公开(公告)日: | 2019-08-09 |
发明(设计)人: | 汤庆鑫;刘益春;童艳红;李明璇;周淑君 | 申请(专利权)人: | 东北师范大学 |
主分类号: | H01L51/00 | 分类号: | H01L51/00;H01L51/05;H01L51/10 |
代理公司: | 北京纪凯知识产权代理有限公司 11245 | 代理人: | 关畅;赵静 |
地址: | 130024 吉*** | 国省代码: | 吉林;22 |
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摘要: | 本发明公开了一种基于迭片电极的有机薄膜场效应晶体管及其制备方法,所述方法包括如下步骤:1)制备迭片电极;2)将有机薄膜和步骤1)中所述迭片电极结合,即可得到。通过压合得到具有柔性面对面结构、非柔性面对面结构或卷对卷结构的所述有机薄膜场效应晶体管,无需蒸镀电极,避免了热辐射对电极和有机半导体薄膜的损伤;再者,迭片电极是柔性的,有机半导体薄膜亦可是柔性的;此外,有机薄膜场效应晶体管及电路可实现全柔性的卷对卷结构,利于实现大面积制备,具有一定的商业前景。 | ||
搜索关键词: | 一种 基于 电极 有机 薄膜 场效应 晶体管 及其 制备 方法 | ||
【主权项】:
1.一种基于迭片电极的有机薄膜场效应晶体管的制备方法,包括如下步骤:1)制备迭片电极;2)将有机薄膜和步骤1)中所述迭片电极结合,得到所述基于迭片电极的有机薄膜场效应晶体管;步骤2)中,所述结合的方式为压合;所述压合为:将真空蒸镀在衬底上所述有机薄膜和所述迭片电极采用面对面的方式进行压合,得到所述基于迭片电极的有机薄膜场效应晶体管;或者,采用相同速度相反方向旋转的两个滚轴,将所述迭片电极和所述蒸镀在柔性衬底上所述有机薄膜平行放在两个滚轴之间,进行滚压,得到具有柔性卷对卷结构的所述基于迭片电极的有机薄膜场效应晶体管;所述真空蒸镀的条件如下:将所述衬底置于真空沉积腔体中,调节腔体中真空度为1×10‑4~9×10‑4Pa;加热制备有机薄膜所需有机半导体材料致其升华速率为在所述衬底表面沉积厚度为20~100nm的所述有机薄膜,得到沉积在所述衬底上的所述有机薄膜;所述有机薄膜为并五苯薄膜、酞菁铜薄膜和酞菁锌薄膜中的任一种;所述衬底为聚苯乙烯柔性衬底;所述聚苯乙烯柔性衬底按下述方法制备得到:首先将丙酮清洗后的硅片静置于浓硫酸与过氧化氢体积比为7:3的混合溶液中30min;然后将所述硅片置于正庚烷与十八烷基三氯硅烷体积比为1000:1的混合溶液中3~12h,取出所述硅片并于100℃加热5min;将聚苯乙烯溶于甲苯溶液并按照4000r/min,40s的条件旋涂在所述十八烷基三氯硅烷修饰过的硅片上,于60~80℃下烘干固化,然后从硅片上转移下来,即得到聚苯乙烯柔性衬底。
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H01 基本电气元件
H01L 半导体器件;其他类目中不包括的电固体器件
H01L51-00 使用有机材料作有源部分或使用有机材料与其他材料的组合作有源部分的固态器件;专门适用于制造或处理这些器件或其部件的工艺方法或设备
H01L51-05 .专门适用于整流、放大、振荡或切换且并具有至少一个电位跃变势垒或表面势垒的;具有至少一个电位跃变势垒或表面势垒的电容器或电阻器
H01L51-42 .专门适用于感应红外线辐射、光、较短波长的电磁辐射或微粒辐射;专门适用于将这些辐射能转换为电能,或者适用于通过这样的辐射进行电能的控制
H01L51-50 .专门适用于光发射的,如有机发光二极管
H01L51-52 ..器件的零部件
H01L51-54 .. 材料选择
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