[发明专利]暖机方法及基片的刻蚀方法有效
| 申请号： | 201510564602.4 | 申请日： | 2015-09-07 |
| 公开（公告）号： | CN106504996B | 公开（公告）日： | 2020-10-13 |
| 发明（设计）人： | 张君 | 申请（专利权）人： | 北京北方华创微电子装备有限公司 |
| 主分类号： | H01L21/465 | 分类号： | H01L21/465 |
| 代理公司： | 北京荟英捷创知识产权代理事务所(普通合伙) 11726 | 代理人： | 左文;段志慧 |
| 地址： | 100176 北京*** | 国省代码： | 北京;11 |
| 权利要求书： | 查看更多 | 说明书： | 查看更多 |
| 摘要： | 本发明提供了一种暖机方法及基片的刻蚀方法，涉及半导体技术领域，能够缩短暖机步骤的工艺时间，提高生产效率，减少暖机步骤所消耗的光胶片的数量，降低成本。其中所述暖机方法用于在刻蚀腔室内壁上覆盖聚合物以使刻蚀腔室达到刻蚀工艺所需的工作状态，该暖机方法包括：将光胶片置于刻蚀腔室中，并将刻蚀气体通入刻蚀腔室中，对光胶片进行刻蚀，在进行刻蚀的过程中，变化刻蚀腔室内的气体压力。本发明所提供的暖机方法用于基片的刻蚀工艺中。 | ||
| 搜索关键词： | 方法 刻蚀 | ||
【主权项】：
一种暖机方法，用于在刻蚀腔室内壁上覆盖聚合物以使刻蚀腔室达到刻蚀工艺所需的工作状态，其特征在于，所述暖机方法包括：将光胶片置于刻蚀腔室中；将刻蚀气体通入刻蚀腔室中，以对所述光胶片进行刻蚀，并在进行刻蚀的过程中变化刻蚀腔室内的气体压力。
下载完整专利技术内容需要扣除积分，VIP会员可以免费下载。
该专利技术资料仅供研究查看技术是否侵权等信息，商用须获得专利权人授权。该专利全部权利属于北京北方华创微电子装备有限公司，未经北京北方华创微电子装备有限公司许可，擅自商用是侵权行为。如果您想购买此专利、获得商业授权和技术合作，请联系【客服】
本文链接：http://www.vipzhuanli.com/patent/201510564602.4/，转载请声明来源钻瓜专利网。
- 同类专利
- 专利分类
H01 基本电气元件
H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L21-00 专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
H01L21-02 .半导体器件或其部件的制造或处理
H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
H01L21-66 .在制造或处理过程中的测试或测量
H01L21-67 .专门适用于在制造或处理过程中处理半导体或电固体器件的装置；专门适合于在半导体或电固体器件或部件的制造或处理过程中处理晶片的装置
H01L21-70 .由在一共用基片内或其上形成的多个固态组件或集成电路组成的器件或其部件的制造或处理；集成电路器件或其特殊部件的制造
H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L21-00 专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
H01L21-02 .半导体器件或其部件的制造或处理
H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
H01L21-66 .在制造或处理过程中的测试或测量
H01L21-67 .专门适用于在制造或处理过程中处理半导体或电固体器件的装置；专门适合于在半导体或电固体器件或部件的制造或处理过程中处理晶片的装置
H01L21-70 .由在一共用基片内或其上形成的多个固态组件或集成电路组成的器件或其部件的制造或处理；集成电路器件或其特殊部件的制造
