[发明专利]具有反常阻变特性的碳基材料阻变存储单元及其制备方法有效
| 申请号： | 201510565633.1 | 申请日： | 2015-09-08 |
| 公开（公告）号： | CN105140392B | 公开（公告）日： | 2017-11-10 |
| 发明（设计）人： | 汪琳;张淑玮;吴白羽;周家伟;任兵;黄健;王林军 | 申请（专利权）人： | 上海大学 |
| 主分类号： | H01L45/00 | 分类号： | H01L45/00;H01L27/24;G11C11/56 |
| 代理公司： | 上海上大专利事务所(普通合伙)31205 | 代理人： | 顾勇华 |
| 地址： | 200444*** | 国省代码： | 上海;31 |
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| 摘要： | 本发明公开了一种具有反常阻变特性的碳基材料阻变存储单元及其制备方法，本发明碳基材料阻变存储单元包括衬底层、位于衬底层上的下电极层、位于下电极层上的阻变层、位于阻变层上的上电极层，阻变层为在非晶碳膜中掺杂有Fe的a‑C/Fe薄膜阻变层，其中Fe的掺杂量为4 at%。本发明通过在非晶碳中掺杂Fe，使得不含氧的a‑C/Fe薄膜阻变层具有磁性、具有反常阻变特性，且阻变性能稳定，使薄膜具有较高的矫顽力和巨磁阻等独特的磁性质和磁输运特性；结构简单，成本低廉。 | ||
| 搜索关键词： | 具有 反常 特性 基材 料阻变 存储 单元 及其 制备 方法 | ||
【主权项】：
一种具有反常阻变特性的碳基材料阻变存储单元，其特征在于：自下而上依次主要由衬底层（1）、下电极层（2）、阻变层（3）和上电极层（4）结合而成，所述阻变层（3）为在非晶碳膜中掺杂有Fe的a‑C/Fe薄膜阻变层，其中所述Fe的掺杂量为4.0at%。
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