[发明专利]电容器结构及其制造方法有效
| 申请号： | 201510565703.3 | 申请日： | 2015-09-08 |
| 公开（公告）号： | CN105932012B | 公开（公告）日： | 2019-04-12 |
| 发明（设计）人： | 杨宗学;闵仲强;吴常明;刘世昌 | 申请（专利权）人： | 台湾积体电路制造股份有限公司 |
| 主分类号： | H01L23/64 | 分类号： | H01L23/64;H01L27/108;H01L21/8242;H01L21/02 |
| 代理公司： | 北京德恒律治知识产权代理有限公司 11409 | 代理人： | 章社杲;李伟 |
| 地址： | 中国台*** | 国省代码： | 中国台湾;71 |
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| 摘要： | 一种电容器结构包括深沟槽、接触插塞、间隔件和金属‑绝缘体‑金属膜。深沟槽延伸至冠状氧化物衬底内，并且接触插塞完全地设置在冠状氧化物衬底下方。间隔件内衬于深沟槽，并且金属‑绝缘体‑金属膜设置在深沟槽中。本发明的实施例还涉及电容器结构的制造方法。 | ||
| 搜索关键词： | 电容器 结构 及其 制造 方法 | ||
【主权项】：
1.一种电容器结构，包括：深沟槽，延伸至冠状氧化物内并且具有介于8和10的范围内的高宽比；接触插塞，完全地设置在所述冠状氧化物下方；间隔件，内衬于所述深沟槽；以及金属‑绝缘体‑金属膜，设置在所述深沟槽中；其中，所述深沟槽包括沿着所述冠状氧化物的第一侧壁和沿着所述接触插塞的第二侧壁以及底部，所述金属‑绝缘体‑金属膜设置在所述深沟槽的所述第一侧壁和所述第二侧壁以及所述底部上方的所述间隔件上。
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