[发明专利]半导体器件及其沟道结构有效
| 申请号： | 201510565924.0 | 申请日： | 2015-09-08 |
| 公开（公告）号： | CN105470303B | 公开（公告）日： | 2018-07-17 |
| 发明（设计）人： | 卡洛斯·H·迪亚兹;让-皮埃尔·科林格 | 申请（专利权）人： | 台湾积体电路制造股份有限公司 |
| 主分类号： | H01L29/78 | 分类号： | H01L29/78;H01L29/423 |
| 代理公司： | 北京德恒律治知识产权代理有限公司 11409 | 代理人： | 章社杲;李伟 |
| 地址： | 中国台*** | 国省代码： | 中国台湾;71 |
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| 摘要： | 本发明公开了具有复合结构的半导体器件，该半导体器件包括沟道结构，该沟道结构具有：内芯杆，基本沿着半导体器件的沟道方向延伸；和外部套管层，设置在内芯杆上。内芯杆机械支撑半导体器件的沟道长度上的套管构件。本发明的实施例还涉及半导体器件的沟道结构。 | ||
| 搜索关键词： | 半导体器件 沟道结构 内芯杆 沟道 方向延伸 复合结构 机械支撑 套管构件 外部套管 芯杆 | ||
【主权项】：
1.一种半导体器件，包括：复合结构，包括：内芯杆，包括芯栅极堆叠件并且基本沿着所述半导体器件的沟道方向延伸；以及外部套管层，由2‑D层状沟道材料制成并且设置在所述内芯杆上，其中，所述内芯杆机械支撑所述半导体器件的沟道长度上的所述外部套管层。
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