[发明专利]基于平面S-型桥电磁带隙结构的电源分配网络

摘要

一种基于平面S‑型桥电磁带隙结构的电源分配网络，包括电源平面、介质基板和地平面，介质基板覆盖在地平面上，电源平面位于介质基板上，平面S‑型桥电磁带隙结构单元在电源平面所在的二维平面上周期性延拓构成矩阵，每个平面S‑型桥电磁带隙结构单元包括贴片和四个半S‑型桥，贴片与半S‑型桥的连接处通过开槽形成狭缝，四个半S‑型桥分别设有位于整个结构单元上、下、左、右的四个引出端，一个平面S‑型桥电磁带隙结构单元的四个引出端分别与上、下、左、右相邻的平面S‑型桥电磁带隙结构单元的其中一个引出端相连形成平面S‑型桥。本发明宽频率范围内对同步开关噪声抑制能力良好、电源完整性较好。

主权项

1.一种基于平面S‑型桥电磁带隙结构的电源分配网络，包括电源平面、介质基板和地平面，所述介质基板覆盖在所述地平面上，所述电源平面位于介质基板上，其特征在于：所述电源分配网络还包括平面S‑型桥电磁带隙结构单元，所述平面S‑型桥电磁带隙结构单元在所述电源平面所在的二维平面上周期性延拓构成矩阵，每个平面S‑型桥电磁带隙结构单元包括贴片和四个半S‑型桥，所述贴片与半S‑型桥的连接处通过开槽形成狭缝，所述四个半S‑型桥分别设有位于整个结构单元上、下、左、右的四个引出端，一个平面S‑型桥电磁带隙结构单元的四个引出端分别与上、下、左、右相邻的平面S‑型桥电磁带隙结构单元的其中一个引出端相连形成平面S‑型桥，从电磁带隙结构最右侧，往左依次的四个半S‑型桥，记为S1‑型桥，S3‑型桥，S2‑型桥，S4‑型桥，所述半S‑型桥靠近电磁带隙结构单元边沿部分的宽度为w1，S1‑型桥和S2‑型桥靠近贴片部分的宽度为w3，S1‑型桥和S2‑型桥之间部分，即S3‑型桥的宽度为w2，w2＝w3，且w2＝2×w1，所述S1‑型桥靠近电磁带隙结构单元边沿部分与所述S3‑型桥之间的距离为g1，所述S2‑型桥靠近贴片部分与贴片的距离为g3，所述S2‑型桥靠近贴片部分与S3‑型桥的距离为g2，g2＝g3，且g1＝2×g2，g2＝w2，所述狭缝包括与S1‑型桥对应的第一狭缝、与S2‑型桥对应的第二狭缝、与S3‑型桥对应的第三狭缝和与S4‑型桥对应的第四狭缝，所述第一狭缝、第二狭缝、第三狭缝和第四狭缝的宽度均与g2相等，第二狭缝和第四狭缝的长度相等，l＝s。