[发明专利]硬掩模材料、其形成方法和设备及其用途有效
| 申请号： | 201510566292.X | 申请日： | 2010-11-30 |
| 公开（公告）号： | CN105185707B | 公开（公告）日： | 2018-06-01 |
| 发明（设计）人： | 维什瓦纳坦·兰加拉扬;乔治·安德鲁·安东内利;阿南达·班纳吉;巴尔特·范施拉文迪杰克 | 申请（专利权）人： | 诺发系统有限公司 |
| 主分类号： | H01L21/318 | 分类号： | H01L21/318;H01L21/67;H01L21/768 |
| 代理公司： | 北京律盟知识产权代理有限责任公司 11287 | 代理人： | 沈锦华 |
| 地址： | 美国加利*** | 国省代码： | 美国;US |
| 权利要求书： | 查看更多 | 说明书： | 查看更多 |
| 摘要： | 本申请涉及硬掩模材料、其形成方法和设备及其用途。本发明提供具有高硬度和低应力的硬掩模薄膜。在一些实施例中，薄膜的应力介于约‑600MPa与600MPa之间并且硬度为至少约12GPa。在一些实施例中，通过使用多重致密等离子体后处理在PECVD处理室中沉积多个经掺杂或无掺杂碳化硅子层来制备硬掩模薄膜。在一些实施例中，硬掩模薄膜包括选自由以下各项组成的群组的高硬度含硼薄膜：SixByCz、SixByNz、SixByCzNw、BxCy和BxNy。在一些实施例中，硬掩模薄膜包括包含至少约60原子％的锗的富锗GeNx材料。这些硬掩模可用于集成电路制造的多种后端和前端处理方案中。 | ||
| 搜索关键词： | 硬掩模薄膜 方法和设备 硬掩模材料 高硬度 掺杂 等离子体后处理 致密 集成电路制造 含硼薄膜 前端处理 低应力 碳化硅 硬掩模 可用 群组 子层 沉积 制备 薄膜 申请 自由 | ||
【主权项】：
1.一种在半导体衬底上形成硬掩模薄膜的方法，所述方法包含：在等离子体增强型化学气相沉积(PECVD)处理室中接收半导体衬底；和形成具有至少约100GPa杨氏模量的富锗GeNx 硬掩模薄膜，其中所述富锗GeNx 硬掩模薄膜通过使用LFRF和HFRF等离子体进行PECVD而形成，其中LFRF功率水平高于HFLF功率水平。
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H01 基本电气元件
H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L21-00 专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
H01L21-02 .半导体器件或其部件的制造或处理
H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
H01L21-66 .在制造或处理过程中的测试或测量
H01L21-67 .专门适用于在制造或处理过程中处理半导体或电固体器件的装置；专门适合于在半导体或电固体器件或部件的制造或处理过程中处理晶片的装置
H01L21-70 .由在一共用基片内或其上形成的多个固态组件或集成电路组成的器件或其部件的制造或处理；集成电路器件或其特殊部件的制造
H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L21-00 专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
H01L21-02 .半导体器件或其部件的制造或处理
H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
H01L21-66 .在制造或处理过程中的测试或测量
H01L21-67 .专门适用于在制造或处理过程中处理半导体或电固体器件的装置；专门适合于在半导体或电固体器件或部件的制造或处理过程中处理晶片的装置
H01L21-70 .由在一共用基片内或其上形成的多个固态组件或集成电路组成的器件或其部件的制造或处理；集成电路器件或其特殊部件的制造
