[发明专利]发光二极管倒装芯片的制备方法及发光二极管倒装芯片有效
| 申请号： | 201510566597.0 | 申请日： | 2015-09-08 |
| 公开（公告）号： | CN105261691B | 公开（公告）日： | 2018-02-13 |
| 发明（设计）人： | 徐琦;郑远志;陈向东;康建;梁旭东 | 申请（专利权）人： | 圆融光电科技股份有限公司 |
| 主分类号： | H01L33/60 | 分类号： | H01L33/60;H01L33/62 |
| 代理公司： | 北京同立钧成知识产权代理有限公司11205 | 代理人： | 宋扬,黄健 |
| 地址： | 243000 安徽省马鞍*** | 国省代码： | 安徽;34 |
| 权利要求书： | 查看更多 | 说明书： | 查看更多 |
| 摘要： | 本发明提供一种发光二极管倒装芯片的制备方法及发光二极管倒装芯片。该发光二极管倒装芯片的制备方法包括在基板上蒸镀反射面层；在反射面层表面蒸镀高反射绝缘薄膜层；在高反射绝缘薄膜层表面蒸镀金属电极，得到发光二极管倒装芯片。本发明提供的发光二极管倒装芯片的制备方法及发光二极管倒装芯片可以提升发光二极管倒装芯片的工艺直通率和光通量。 | ||
| 搜索关键词： | 发光二极管 倒装 芯片 制备 方法 | ||
【主权项】：
一种发光二极管倒装芯片的制备方法，其特征在于，包括：在基板上蒸镀反射面层；在所述反射面层表面蒸镀高反射绝缘薄膜层；在所述高反射绝缘薄膜层表面蒸镀金属电极，得到发光二极管倒装芯片；在所述反射面层表面蒸镀高反射绝缘薄膜层包括：在所述反射面层表面蒸镀掩膜层；在所述掩膜层表面沉积第一高致密绝缘薄膜层；在所述第一高致密绝缘薄膜层表面蒸镀所述高反射绝缘薄膜层。
下载完整专利技术内容需要扣除积分，VIP会员可以免费下载。
该专利技术资料仅供研究查看技术是否侵权等信息，商用须获得专利权人授权。该专利全部权利属于圆融光电科技股份有限公司，未经圆融光电科技股份有限公司许可，擅自商用是侵权行为。如果您想购买此专利、获得商业授权和技术合作，请联系【客服】
本文链接：http://www.vipzhuanli.com/patent/201510566597.0/，转载请声明来源钻瓜专利网。
- 上一篇：半导体器件的制造方法和衬底处理装置
- 下一篇：高精度分压比电阻器
