[发明专利]半导体元件及其制作方法

摘要

本发明提供了一种半导体元件的制作方法。该半导体元件的制作方法包括提供一半导体堆叠层以及一电镀电极于一溶液中；对半导体堆叠层的相对面与电镀电极施加一电压差以及提供一光束至半导体堆叠层，令第一电极形成于半导体堆叠层的入光面上，电压差使电镀电极提供至少一金属离子至溶液中并形成一金属离子溶液，半导体堆叠层的入光面与半导体堆叠层的相对面相对，且半导体堆叠层适于吸收上述光束并产生一电子至入光面，令金属离子溶液中的金属离子与电子形成第一电极于半导体堆叠层的入光面上。基于上述制造方法，一种半导体元件亦被提出。

主权项

一种半导体元件的制作方法，其特征在于，包括：提供一半导体堆叠层以及一电镀电极于一溶液中，其中该半导体堆叠层具有一入光面及一与该入光面相对的相对面；对该相对面与该电镀电极施加一电压差；以及提供一光束至该半导体堆叠层，其中该电压差使该电镀电极提供至少一金属离子至该溶液中并形成一金属离子溶液，该半导体堆叠层适于吸收该光束并产生至少一电子至该入光面，令该金属离子溶液中的该金属离子与该电子形成一第一电极于该半导体堆叠层的该入光面上。