[发明专利]用于自对准触点方案的牺牲金属前电介质

摘要

本发明涉及用于自对准触点方案的牺牲金属前电介质。本申请中的各种实施例涉及在形成栅极和触点的背景下形成触点蚀刻停止层。在某些实施例中，使用新颖的流程，其可以包括在形成特定的触点蚀刻停止层之前沉积和移除牺牲金属前电介质材料。除了先前沉积的基础蚀刻停止层之外，还可以使用辅助触点蚀刻停止层。在某些情况下，触点蚀刻停止层是诸如氮化物或氧化物之类的包含金属的材料。在一些实施例中，触点蚀刻停止层可以通过循环气相沉积被沉积。在本申请中公开的流程提供了针对过度蚀刻栅极堆叠的改进了的保护，从而最小化了栅极到触点的泄漏。此外，在用于形成各种电介质材料的材料和沉积条件方面，所公开的流程导致了更宽的灵活性，从而最小化寄生电容。

主权项

1.一种形成栅极和触点腔的方法，该方法包括：(a)在衬底上形成多个伪栅极结构，每个伪栅极结构包括：(i)盖层，(ii)放置在所述盖层下方的包含硅的层，以及(iii)间隔层，所述间隔层与所述盖层和所述包含硅的层的垂直侧壁接触；(b)在所述衬底上在所述伪栅极结构上方和在活动区域上方沉积基础触点蚀刻停止层；(c)在位于邻接的伪栅极结构之间的多个间隙中沉积牺牲金属前电介质材料，其中所述牺牲金属前电介质材料填充所述间隙；(d)从所述伪栅极结构移除所述盖层和所述包含硅的层；(e)沉积包括金属结构和位于所述金属结构上方的盖层的多个替代金属栅极，其中所述替代金属栅极被沉积在由所述伪栅极结构的所述盖层和所述包含硅的层先前所占据的空间中；(f)移除所述牺牲金属前电介质材料；(g)沉积辅助触点蚀刻停止层，其中所述辅助触点蚀刻停止层与所述基础触点蚀刻停止层、所述间隔层、以及所述替代金属栅极的所述盖层物理接触；(h)在所述辅助触点蚀刻停止层上方沉积替代电介质材料，其中所述替代电介质材料沉积在邻接的替代金属栅极之间的缝隙中以及所述替代金属栅极的上方；以及(i)蚀刻通过所述替代电介质材料、所述辅助触点蚀刻停止层、以及所述基础触点蚀刻停止层，以将在所述基础触点蚀刻停止层下方和所述邻接的替代金属栅极之间的所述活动区域暴露，从而形成所述触点腔。