[发明专利]半导体制作工艺、平面场效晶体管及鳍状场效晶体管

摘要

本发明公开一种半导体制作工艺、平面场效晶体管及鳍状场效晶体管。该鳍状场效晶体管包含有一基底以及一栅极。基底包含一主动区，其中主动区包含一鳍状结构，具有至少一延伸部突出自鳍状结构。栅极跨设鳍状结构，其中栅极直接设置于延伸部上。本发明还提供一种平面场效晶体管，包含有一基底以及一栅极。基底包含一主动区，其中主动区包含一框架区、一贯穿区穿过框架区。栅极跨设主动区，其中栅极直接设置于贯穿区上，且位于栅极至少一侧边的框架区构成一源/漏极，并环绕一孤立绝缘岛。

主权项

一种半导体制作工艺，包含有：提供一基底，包含一主动区；进行一第一蚀刻制作工艺，图案化该主动区的该基底，以形成一鳍状结构的一顶部；覆盖一掩模于该基底的一保留区；进行一第二蚀刻制作工艺，蚀刻该基底以加深该鳍状结构的该顶部，但保留该保留区，因而形成该鳍状结构，具有一延伸部突出自该鳍状结构；移除该掩模；以及形成一栅极跨设该鳍状结构，其中该栅极直接于该延伸部上。