[发明专利]半导体器件的制造方法、衬底处理系统及衬底处理装置

摘要

本发明涉及抑制半导体器件特性偏差的半导体器件制造方法、衬底处理系统及衬底处理装置。该方法具有：研磨衬底的工序，衬底在具有多个布线用槽的第一绝缘膜上形成有金属膜；在衬底上形成第二绝缘膜的工序；第二绝缘膜研磨工序；接收第二绝缘膜的衬底面内的膜厚分布数据的工序；基于膜厚分布数据计算处理数据的工序，所述处理数据通过调节形成于研磨后的第二绝缘膜上的第三绝缘膜的膜厚分布来修正由研磨后的第二绝缘膜和第三绝缘膜形成的层合绝缘膜的膜厚分布；和基于处理数据、以使得生成于衬底中心侧的处理气体的活性种浓度和生成于衬底外周侧的处理气体的活性种浓度不同的方式使处理气体活化并形成第三绝缘膜、修正层合绝缘膜膜厚分布的工序。

主权项

1.一种衬底处理装置，其具有：处理室，用于收纳衬底，所述衬底在具有多个供第一层金属布线形成的布线用槽的第一绝缘膜上具有经过研磨的作为金属布线的金属膜、并在所述金属膜上具有经过研磨的第二绝缘膜；处理气体供给部，向所述衬底供给处理气体；活化部，使所述处理气体活化；接收部，接收所述经过研磨的第二绝缘膜的膜厚分布数据；计算部，基于所述膜厚分布数据计算处理数据，所述处理数据通过调节形成于所述研磨后的第二绝缘膜上的第三绝缘膜的膜厚分布来以使得由所述研磨后的第二绝缘膜和所述第三绝缘膜形成的层合绝缘膜的高度一致的方式修正膜厚分布；图案形成系统，将所述衬底形成图案；和控制部，以下述方式控制所述处理气体供给部、所述活化部和所述图案形成系统，即，基于所述处理数据，以使得生成于所述衬底中心侧的所述处理气体的活性种的浓度和生成于所述衬底外周侧的所述处理气体的活性种的浓度不同的方式使所述处理气体活化并形成所述第三绝缘膜，从而修正所述层合绝缘膜的膜厚分布，具有使所述层合绝缘膜的高度一致的工序、和在使所述层合绝缘膜的高度一致的工序后在所述层合绝缘膜中形成多个贯通槽与多个第二层金属布线的组合的工序，在该工序中，使得供所述第二层金属布线形成的布线用槽的高度与所述贯通槽的高度的比率在所述衬底的中心侧和外周侧成为恒定。