[发明专利]高介电常数AG特性介电陶瓷材料及其制备方法

摘要

本发明提供一种高介电常数AG特性介电陶瓷材料及其制备方法。该种高介电常数AG特性介电陶瓷材料，其原料组分为wBaO·xNd2O3·yTiO2·zBi2O3化合物、Li1/2Re1/2O3、BaB2O4、ZnO；其制作方法为以wBaO·xNd2O3·yTiO2·zBi2O3为主基料，Li1/2Re1/2O3、ZnO、BaB2O4为添加料，通过水为分散介质，球磨、烘干、粉碎并造粒、并将造粒后的粉料压制成圆片生坯，然后在空气气氛中升温至1100～1200℃，保温烧结2‑4h，即制得高介电常数AG特性介电陶瓷材料。上述所制得的介电陶瓷材料不含Pb等有害金属，介电常数高达90以上，具有AG特性(90±20ppm/K),超低介电损耗，高温度稳定性，可用于制造高频、热稳定性优良的独石电容器。

主权项

高介电常数AG特性介电陶瓷材料，其特征在于，其原料组分及重量百分比含量为：wBaO·xNd2O3·yTiO2·zBi2O3化合物88‑96份、Li1/2Re1/2O3 2‑6份、BaB2O4 1‑3份、ZnO 1‑3份；其中10≤w≤20、10≤x≤20、60≤y≤75、2≤z≤8且w+x+y+z＝100；Re为稀土元素Nd、Sm中的一种或两种。