[发明专利]半导体结构及其制造方法有效
| 申请号： | 201510569372.0 | 申请日： | 2015-09-09 |
| 公开（公告）号： | CN105990405B | 公开（公告）日： | 2019-12-13 |
| 发明（设计）人： | 萧茹雄;郑志成;黄智睦 | 申请（专利权）人： | 台湾积体电路制造股份有限公司 |
| 主分类号： | H01L29/423 | 分类号： | H01L29/423;H01L21/28 |
| 代理公司： | 11409 北京德恒律治知识产权代理有限公司 | 代理人： | 章社杲;李伟 |
| 地址： | 中国台*** | 国省代码： | 中国台湾;TW |
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| 摘要： | 本发明公开了半导体结构，包括第一层、金属层和第二层。第一层包括凹进表面。金属层位于凹进表面的部分之上。第二层位于金属层之上并且由凹进表面限定。第二层包括顶面、第一侧面和第二侧面。关于金属层的蚀刻剂的蚀刻速率大于关于第二层的蚀刻剂的蚀刻速率。第二层的中间的第二层的厚度小于第一侧面或第二侧面处的第二层的厚度。本发明公开了制造半导体结构的方法。 | ||
| 搜索关键词： | 半导体 结构 及其 制造 方法 | ||
【主权项】：
1.一种半导体结构，包括：/n第一层，包括凹进表面；/n金属层，位于所述凹进表面的部分之上；以及/n第二层，位于所述金属层之上并且由所述凹进表面限定，所述第二层包括顶面、第一侧面和第二侧面，/n其中，蚀刻剂相对于所述金属层的蚀刻速率大于所述蚀刻剂相对于所述第二层的蚀刻速率，并且所述第二层位于所述第二层的中间的厚度小于所述第二层位于所述第一侧面处或所述第二侧面处的厚度，所述第一侧面处的所述第二层的厚度与所述第二侧面处的所述第二层的厚度不同。/n
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