[发明专利]用于掩模修复的耐用金属膜沉积

摘要

本发明提供了修复半导体掩模的方法和工具。方法包括以下步骤：将半导体掩模置于包括修复工具的修复室中；向修复室提供第一气体和第二气体。第一气体包括用于修复掩模上的缺陷的修复材料，并且第二气体包括极性气体并帮助修复材料沉积在半导体掩模上。方法还包括以下步骤：激活修复工具，使修复工具与第一气体和第二气体相互作用，以将修复材料沉积在缺陷的位置处从而修复半导体掩模；从修复室中移除修复的半导体掩模。沉积的修复材料的尺寸小于约32nm。本发明还提供了用于掩模修复的耐用金属膜沉积。

主权项

1.一种修复半导体掩模的方法，所述方法包括：将所述半导体掩模置于包括修复工具的修复室中；向所述修复室提供第一气体，所述第一气体包括用于修复所述半导体掩模上的缺陷的修复材料，所述第一气体是Cr(CO)₆；向所述修复室提供第二气体，所述第二气体是NO₂并且帮助所述修复材料沉积在所述半导体掩模上的缺陷的位置处，其中，所述缺陷为在所述缺陷的位置处缺少期望的图案材料；激活所述修复工具，使所述修复工具与所述第一气体和所述第二气体相互作用，将所述修复材料沉积在所述缺陷的位置处，以修复所述半导体掩模，其中，沉积的修复材料的尺寸小于32nm，沉积的修复材料包括铬、碳、氧和氮；以及从所述修复室中移除修复的半导体掩模。