[发明专利]半导体结构及其形成方法有效
| 申请号： | 201510570274.9 | 申请日： | 2015-09-08 |
| 公开（公告）号： | CN106505055B | 公开（公告）日： | 2019-08-27 |
| 发明（设计）人： | 孙沿林;郭守柱;徐明洁 | 申请（专利权）人： | 中芯国际集成电路制造（天津）有限公司;中芯国际集成电路制造（上海）有限公司 |
| 主分类号： | H01L23/488 | 分类号： | H01L23/488;H01L23/485 |
| 代理公司： | 上海思微知识产权代理事务所(普通合伙) 31237 | 代理人： | 屈蘅;李时云 |
| 地址： | 300385 天津市*** | 国省代码： | 天津;12 |
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| 摘要： | 本发明揭示了一种半导体结构及其形成方法。包括在形成有金属互连层的前端芯片上形成保护层，在所述保护层上形成焊垫，所述焊垫与所述金属互连层相连接；以及位于所述焊垫上的铜柱凸块；其中，所述保护层的强度小于或等于所述前端芯片的强度。与现有技术相比，本发明中由于保护层的引入，在发生应力拉扯时，保护层可以起到释放应力的效果，而不破坏芯片的结构，保证芯片结构的完整，同时芯片的功能也不受影响。 | ||
| 搜索关键词： | 半导体 结构 及其 形成 方法 | ||
【主权项】：
1.一种半导体结构，包括：前端芯片，包括金属互连层；位于所述前端芯片上的保护层；位于所述保护层上的焊垫，所述焊垫与所述金属互连层电连接；以及位于所述焊垫上的铜柱凸块，所述铜柱凸块与所述焊垫电连接；其中，所述保护层的强度小于或等于所述前端芯片的强度，当发生应力拉扯时，所述保护层发生断裂以释放应力。
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