[发明专利]无轻掺杂漏极的半导体结构及其制造方法有效
| 申请号： | 201510570332.8 | 申请日： | 2015-09-09 |
| 公开（公告）号： | CN105932060B | 公开（公告）日： | 2019-08-09 |
| 发明（设计）人： | 蔡俊雄 | 申请（专利权）人： | 台湾积体电路制造股份有限公司 |
| 主分类号： | H01L29/78 | 分类号： | H01L29/78;H01L21/336;H01L29/417 |
| 代理公司： | 北京德恒律治知识产权代理有限公司 11409 | 代理人： | 章社杲;李伟 |
| 地址： | 中国台*** | 国省代码： | 中国台湾;71 |
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| 摘要： | 本发明提供一种无LDD的半导体结构，其包括：半导体层；栅极，位于半导体层上方；以及再生长区域，由半导体材料制成且位于半导体层中。再生长区域形成无LDD的半导体结构的源极区域或漏极区域。栅极包括通过栅极间隔件侧面覆盖的栅电极层。再生长区域朝向栅极间隔件下方的区域延伸并接近沿着栅极间隔件与栅电极层的接合处延伸的平面。本发明还提供了一种用于制造无LDD的半导体结构的方法。该方法包括：在半导体层上方形成栅极；去除半导体层的一部分并获得凹槽；以及在凹槽上方形成再生长区域。 | ||
| 搜索关键词： | 掺杂 半导体 结构 及其 制造 方法 | ||
【主权项】：
1.一种无轻掺杂漏极(无LDD)的半导体结构，包括：隔离区域，具有顶面；半导体层，位于所述隔离区域中，并且从所述隔离区域的顶面凸出；栅极，位于所述半导体层和所述隔离区域上方；以及再生长区域，由半导体材料制成且位于所述半导体层中，并且所述再生长区域形成了所述无LDD的半导体结构的源极区域或漏极区域；其中，所述栅极包括通过栅极间隔件侧面覆盖的栅电极层，并且所述再生长区域具有朝向所述栅极间隔件下方的区域延伸的凸顶点、并接近沿着所述栅极间隔件与所述栅电极层的接合处延伸的平面，所述凸顶点与所述隔离区域的顶面齐平。
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