[发明专利]LDMOS晶体管的自热效应评价方法以及自热效应评价系统

摘要

一种LDMOS晶体管的自热效应评价方法以及自热效应评价系统，所述自热效应评价系统包括LDMOS晶体管和温度感应器件，所述温度感应器件加载有一预设电流，用于使所述温度感应器件的电压与温度具有对应关系；根据温度测量单元，能够得到温度感应器件的温度；自热效应评价单元根据温度测量单元得到的温度感应器件的温度作为所述LDMOS晶体管的温度，并能够根据所述LDMOS晶体管的温度以及所述LDMOS晶体管的源漏电流值、信号电压，得到LDMOS晶体管的源漏电流值与信号电压、温度之间的关系。因此，本发明能够模拟自热效应对LDMOS晶体管I‑V曲线的影响，在后续电路设计中，可以将自热效应作为影响LDMOS晶体管的源漏电流值的参考量，从而使得LDMOS晶体管的设计性能更接近实际性能。

主权项

1.一种LDMOS晶体管的自热效应评价系统，其特征在于，包括：LDMOS晶体管；LDMOS晶体管控制单元，用于对所述LDMOS晶体管的栅极和源极分别施加栅极电压和信号电压，使所述LDMOS晶体管产生自热效应并测量所述LDMOS晶体管的源漏电流值；温度感应器件，与所述LDMOS晶体管相邻，能够在所述LDMOS晶体管自热效应的作用下产生温度变化；所述温度感应器件加载有一预设电流，用于使所述温度感应器件的电压与温度具有对应关系；温度测量单元，用于测量所述温度感应器件的电压，以得到所述温度感应器件的温度，并作为所述LDMOS晶体管的温度；自热效应评价单元，用于根据温度测量单元得到的所述LDMOS晶体管的温度、所述LDMOS晶体管控制单元获得的LDMOS晶体管的源漏电流值和信号电压，得到所述LDMOS晶体管的源漏电流值、信号电压与温度之间的关系；其中，所述温度感应器件为辅助二极管，所述辅助二极管包括第一极和第二极，所述第一极接地，所述辅助二极管第二极在所述预设电流下的电压值与温度满足电压‑温度函数。