[发明专利]一种无掩膜光刻直写系统的照明均匀性测试方法有效
| 申请号： | 201510570425.0 | 申请日： | 2015-09-09 |
| 公开（公告）号： | CN105093855B | 公开（公告）日： | 2017-07-21 |
| 发明（设计）人： | 曹常瑜 | 申请（专利权）人： | 合肥芯碁微电子装备有限公司 |
| 主分类号： | G03F7/20 | 分类号： | G03F7/20 |
| 代理公司： | 合肥天明专利事务所(普通合伙)34115 | 代理人： | 宋倩,袁由茂 |
| 地址： | 230088 安徽省合肥市高新区*** | 国省代码： | 安徽;34 |
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| 摘要： | 本发明提供一种无掩膜光刻直写系统的照明均匀性测试方法，包括设置具有一定能量梯度的曝光模式；将涂覆光刻胶的承印晶圆置于曝光台上；打开照明光源，按照曝光模式执行曝光；将曝光完毕的承印晶圆在显影液中显影；观察不同能量条件下的曝光结果，计算得到系统的照明均匀性。本发明无需增加其他任何测试设备，直接在承印晶圆上进行曝光实验，便可计算出系统的照明均匀性，经济实用。 | ||
| 搜索关键词： | 一种 无掩膜 光刻 系统 照明 均匀 测试 方法 | ||
【主权项】：
一种无掩膜光刻直写系统的照明均匀性测试方法，其特征在于，该方法包括以下步骤：(1)设置系统的曝光模式，使曝光模式中的能量按照一定的能量梯度递增，曝光图形为与系统的曝光最大视场尺寸一致的白图；(2)将已涂覆光刻胶的承印晶圆置于曝光台上；(3)打开照明光源，按照设置的曝光模式执行曝光，将曝光图形成像在承印晶圆上的相应位置；(4)曝光结束后，将承印晶圆进行显影处理；(5)观察显影后的承印晶圆，根据不同能量条件下的曝光结果，采用以下公式计算系统的照明均匀性：U＝(Eq‑Ep)/(Ep+Eq)其中，U表示系统的照明均匀性，Ep表示承印晶圆上的曝光图形首次出现局部感光曝开所对应的能量，Eq表示承印晶圆上的曝光图形首次出现完全感光曝开所对应的能量。
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