[发明专利]静电放电保护结构在审
| 申请号： | 201510571157.4 | 申请日： | 2015-09-10 |
| 公开（公告）号： | CN106531726A | 公开（公告）日： | 2017-03-22 |
| 发明（设计）人： | 吕宇强 | 申请（专利权）人： | 帝奥微电子有限公司 |
| 主分类号： | H01L23/60 | 分类号： | H01L23/60;H01L27/02 |
| 代理公司： | 上海宏威知识产权代理有限公司31250 | 代理人： | 袁辉 |
| 地址： | 201103 上海市闵行区合*** | 国省代码： | 上海;31 |
| 权利要求书： | 查看更多 | 说明书： | 查看更多 |
| 摘要： | 一种静电放电保护结构，其特征在于，包括具有第一掺杂类型或者第二掺杂类型的衬底；具有第一掺杂类型的体区，设置于该衬底上；具有重掺杂的第二掺杂类型的第一有源区，设置于该体区内；具有轻掺杂的第二掺杂类型的漂移区，设置于该衬底上；栅极结构，部分覆盖于该第一有源区以及该漂移区上；具有重掺杂的第二掺杂类型的第二有源区，设置于该漂移区未被该栅极结构覆盖的位置上；以及具有重掺杂的第二掺杂类型的第三有源区，设置于该漂移区被该栅极结构覆盖的部分与该第二有源区之间。 | ||
| 搜索关键词： | 静电 放电 保护 结构 | ||
【主权项】：
一种静电放电保护结构，其特征在于，包括：衬底，具有第一掺杂类型或者第二掺杂类型；体区，设置于该衬底上，具有第一掺杂类型；第一有源区，设置于该体区内，具有重掺杂的第二掺杂类型；漂移区，设置于该衬底上，具有轻掺杂的第二掺杂类型；栅极结构，部分覆盖于该第一有源区以及该漂移区上；第二有源区，设置于该漂移区未被该栅极结构覆盖的位置上，具有重掺杂的第二掺杂类型；以及第三有源区，设置于该漂移区被该栅极结构覆盖的部分与该第二有源区之间，具有重掺杂的第二掺杂类型；其中，该第三有源区的长度为第一长度，且与该第二有源区之间的距离为第二长度。
下载完整专利技术内容需要扣除积分，VIP会员可以免费下载。
该专利技术资料仅供研究查看技术是否侵权等信息，商用须获得专利权人授权。该专利全部权利属于帝奥微电子有限公司，未经帝奥微电子有限公司许可，擅自商用是侵权行为。如果您想购买此专利、获得商业授权和技术合作，请联系【客服】
本文链接：http://www.vipzhuanli.com/patent/201510571157.4/，转载请声明来源钻瓜专利网。
- 上一篇：视频解码装置及方法
- 下一篇：一种数据获取方法及装置
