[发明专利]导电元件、包含导电元件的功率半导体器件及制备方法有效
| 申请号： | 201510571361.6 | 申请日： | 2015-07-08 |
| 公开（公告）号： | CN105261600B | 公开（公告）日： | 2018-10-12 |
| 发明（设计）人： | M·内尔希贝尔;S·勒尔;S·韦勒特 | 申请（专利权）人： | 英飞凌科技股份有限公司 |
| 主分类号： | H01L23/48 | 分类号： | H01L23/48;H01L23/373;H01L21/60 |
| 代理公司： | 中国专利代理(香港)有限公司 72001 | 代理人： | 王岳;胡莉莉 |
| 地址： | 德国瑙伊比*** | 国省代码： | 德国;DE |
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| 摘要： | 本发明涉及导电元件、包含导电元件的功率半导体器件及制备方法。一种导电元件(200)包括导电材料(210)以及多个相变化材料的夹杂物(220)。该相变化材料具有在150°和400°之间的相变温度Tc。该夹杂物(220)彼此分离并嵌入导电材料(210)中。 | ||
| 搜索关键词： | 导电 元件 包含 功率 半导体器件 制备 方法 | ||
【主权项】：
1.一种功率半导体器件（190,195），包括：半导体主体（100），在半导体主体中形成功率半导体器件的有源部分，以及导电元件（200），电耦合至半导体主体（100）中的至少一个有源部分，该导电元件（200）包括：导电材料（210）；以及相变化材料的多个夹杂物（220），该相变化材料具有在150℃和400℃之间的相变温度Tc，该夹杂物（220）彼此分离并嵌入导电材料（210）中。
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